Производитель: Rohm Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  •  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA  •  Ток коллектора (макс): 500mA  •  Модуляция частот: 200MHz  •  Мощность макcимальная: 200mW  •  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236