Характеристики | Производитель: Fairchild Semiconductor • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Обратите внимание: Mold Compound Change 12 dec 2007 • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA • Ток коллектора (макс): 200mA • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V • Мощность макcимальная: 350mW • Модуляция частот: 300MHz • Тип транзистора: NPN • Тип монтажа: Поверхностный монтаж • Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |