Производитель: Infineon Technologies  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  •  Модуляция частот: 7.5GHz  •  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  •  Усиление: 14.5dB ~ 9dB  •  Мощность макcимальная: 800мВт  •  Тип транзистора: NPN  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V  •  Ток коллектора (макс): 150mA  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA  •  Встречается под наим.: BFG196E6327T, BFG196E6327XT, SP000010995