Характеристики | Производитель: Infineon Technologies • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В • Модуляция частот: 8GHz • Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz • Усиление: 16dB ~ 10.5dB • Мощность макcимальная: 600mW • Тип транзистора: NPN • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V • Ток коллектора (макс): 80mA • Тип монтажа: Поверхностный монтаж • Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA • Встречается под наим.: BFG193E6433T, BFG193E6433XT, SP000010994 |