Характеристики | Производитель: Infineon Technologies • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V • Модуляция частот: 6GHz • Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz • Мощность макcимальная: 1Вт • Тип транзистора: NPN • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 8V • Ток коллектора (макс): 150mA • Тип монтажа: Поверхностный монтаж • Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA • Встречается под наим.: BFG135AE6327, BFG135AE6327T, BFG135AE6327T-ND, BFG135AE6327XT, Q2351394, SP000010991 |