Поставщик | Наименование | Производитель | Цена | Склад | |
Icseek Global Limited | BF5030W E6327 Оригинальный и наличный и новый | Infineon | | 6324 | |
BF 5030W E6327 Оригинальный и наличный и новый | INFINEON | | 6324 | |
BF5030WE6327HTSA1 Оригинальный и наличный и новый | INFINEON | | 6324 | |
Digi-ic_SMART PIONEER electronic | BF5030WE6327HTSA1 MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-343 Подробнее | Infineon Technologies | | 130971 | |
ООО "АН-ЧИП" | BF 5030W E6327 микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-343 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21 | Infineon Technologies | | 14888 | |
ООО "Промэлектро-1" | Транзистор полевой BF 5030W E6327 5-7дней. 700; год: 2010-2020 | | опт: 33 р. | 20 | |
Shenzhen Augswan Electronics Co., LTD. | BF5030WE6327 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | INFINEON | | 10888 | |
BF5030WE6327HTSA1 RF MOSFET 3V SOT343 | Infineon Technologies | | 7377 | |
SHENZHEN SHENGYU ELECTRONICS TECHNOLOGY LIMITED | BF5030WE6327 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | INFINEON | | 14025 | |
BF5030WE6327HTSA1 RF MOSFET 3V SOT343 | Infineon Technologies | | 7136 | |
АО "Контест" | BF 5030W E6327 MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-343 Подробнее | Infineon Technologies | | | |
|
Acme Chip Technology Co.,Limited | BF5030WE6327 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | INFINEON | | 11645 | |
BF5030WE6327HTSA1 RF MOSFET 3V SOT343 | Infineon Technologies | | 5386 | |
СИНЕРГИЯ-ДИСТРИБУЦИЯ | BF5030WE6327HTSA1 MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-343 | Infineon Technologies | | | |
ООО "Интегральные схемы" | BF5030WE6327 | | | от 7 дней | |
ООО "АСПЕКТ" | BF5030WE6327 | | | от 7 дней | |
CHIP DIGGER LIMITED | BF5030WE6327 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | INFINEON | | 10109 | |
BF5030WE6327HTSA1 RF MOSFET 3V SOT343 | Infineon Technologies | | 5625 | |