Поставщик | Наименование | Производитель | Цена | Склад | |
LIXINC ELECTRONICS LIMITED | IPB180N04S4-H0 | INFINEON | | 17710 | |
IPB100N04S4-H2 | INFINEON | | 15567 | |
IPB100N04S4H2ATMA1 | Infineon Technologies | | 13169 | |
深圳薇拉笑贸易有限公司 | IPB160N04S4-H1 год: 22+ | | | 5000 | |
IPB100N04S4-H2 год: 22+ | | | 5000 | |
IPB160N04S4H1ATMA год: 22+ | | | 5000 | |
IPB100N04S4H2ATMA1 год: 22+ | | | 5000 | |
HK CARLACCI TRADING CO.,LIMITED | IPB180N04S4H0 yпаковка: TO2637 | Infineon | | 5580 | |
IPB100N04S4H2 yпаковка: TO263 | Infineon | | 5580 | |
IPB160N04S4H1 yпаковка: TO2637 | Infineon | | 5580 | |
SHENZHEN DUOLE ELECTRONICS CO., LTD. | IPB100N04S4-H2 yпаковка: PG-TO263-3; год: 22+ | Infineon() | | 2791 | |
IPB180N04S4-H0 yпаковка: PG-TO263-7; год: 22+ | Infineon() | | 5186 | |
SHENZHEN SPARKLE INDUSTRIAL CO LIMITED | IPB180N04S4-H0 SOT-263-7; год: 15+ | FEELING | | 61449 | |
IPB100N04S4-H2 SOT-263; год: 13+ | FEELING | | 61346 | |
IPB160N04S4-H1 SOT-263-7; год: 20+ | FEELING | | 61434 | |
E KO ELECTRONICS LIMITED | IPB180N04S4-H0 Tape and Reel; мин. заказ: : 1; год: 22+ | original | | 229 | |
Atla Semiconductor Asia Limited | IPB180N04S4-H0 New and Original Stock; yпаковка: TO263-7; год: 21+ | INFINEON | | 45999 | |
IPB100N04S4-H2 New and Original Stock; yпаковка: TO-263; год: 21+ | INFINEON | | 5999 | |
Shenzhen Dali Electronics Co., Ltd | IPB160N04S4-H1 yпаковка: o riginal new; год: 22+ | INFINEON | | 15000 | |
IPB100N04S4-H2 yпаковка: o riginal new; год: 22+ | INFINEON | | 14070 | |
IPB180N04S4-H0 yпаковка: o riginal new; год: 22+ | INFINEON | | 1000 | |
IPB160N04S4-H1 yпаковка: o riginal new; год: 22+ | INFINEON | | 15000 | |
IPB100N04S4-H2 yпаковка: o riginal new; год: 22+ | INFINEON | | 14070 | |
IPB180N04S4-H0 yпаковка: o riginal new; год: 22+ | INFINEON | | 1000 | |
IPB160N04S4H1ATMA yпаковка: o riginal new; год: 2151 | INFINEON | | 4000 | |
IPB160N04S4H1ATMA yпаковка: o riginal new; год: 2151 | INFINEON | | 4000 | |
IPB100N04S4H2ATMA1 yпаковка: o riginal new; год: 2224 | INFINEON | | 1000 | |
IPB100N04S4H2ATMA1 yпаковка: o riginal new; год: 2224 | INFINEON | | 1000 | |
BETTLINK ELECTRONIC LIMITED | IPB100N04S4H2ATMA1 MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2 Подробнее | Infineon Technologies | 66.941$ | 27526 | |
IPB160N04S4H1ATMA1 MOSFET N-Channel 40V MOSFET Подробнее | Infineon Technologies | 10.374$ | 8921 | |
IPI100N04S4H2AKSA1 MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3-1 Подробнее | Infineon Technologies | 0.8809$ | 17316 | |
YUHUA TECHNOLOGY | IPB160N04S4-H1 China HongKong - 3 days; yпаковка: TO263-7; год: 21+ | INFINEON | | 5000 | |
IPB100N04S4-H2 China HongKong - 3 days; yпаковка: TO-263; год: 21+ | INFINEON | | 5000 | |
IPB180N04S4-H0 China HongKong - 3 days; yпаковка: TO263-7; год: 21+ | INFINEON | | 46000 | |
Icseek Global Limited | IPB180N04S4-H0 Оригинальный и наличный и новый | INFINEON | | 6348 | |
IPB160N04S4-H1 Оригинальный и наличный и новый | INFINEON | | 6348 | |
IPB100N04S4-H2 Оригинальный и наличный и новый | INF | | 6348 | |
IPP100N04S4H2AKSA1 Оригинальный и наличный и новый | INFINEON | | 6348 | |
IPB180N04S4H0ATMA1 Оригинальный и наличный и новый | INFINEON | | 6348 | |
IPB160N04S4H1ATMA1 Оригинальный и наличный и новый | INFINEON | | 6348 | |
IPB100N04S4H2ATMA1 Оригинальный и наличный и новый | INFINEON | | 6348 | |
IPI100N04S4H2AKSA1 Оригинальный и наличный и новый | INFINEON | | 6348 | |
GETTINGWIN CO., LIMITED | IPB160N04S4-H1 yпаковка: New Original; год: DC 2023+ | INFINEON | | 16500 | |
IPB180N04S4-H0 yпаковка: New Original; год: DC 2023+ | Infineon | | 18730 | |
IPB100N04S4-H2 yпаковка: New Original; год: DC 2023+ | INFINEON | | 16500 | |
IPB160N04S4H1ATMA1 yпаковка: New Original; год: DC 2023+ | INFINEON | | 16500 | |
|
RYX ELECTRONIC LIMITED | IPB160N04S4-H1 yпаковка: TO-263-7; год: 1404+ | INFINEON | | 40 | |
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited | IPP100N04S4H2 yпаковка: TO-220; год: 22+ | Infineon | | 55000 | |
IPI100N04S4H2 yпаковка: TO-262; год: 22+ | Infineon | | 55000 | |
IPB160N04S4H1 yпаковка: DDPAK-6; год: 22+ | Infineon | | 55000 | |
IPB180N04S4H0 yпаковка: DDPAK-6; год: 22+ | Infineon | | 55000 | |
IPB100N04S4H2 yпаковка: TO-263; год: 22+ | Infineon | | 55000 | |
IPP100N04S4H2AKSA1 yпаковка: TO-220; год: 22+ | Rochester | | 55000 | |
IPI100N04S4H2AKSA1 yпаковка: TO-262; год: 22+ | Rochester | | 55000 | |
VESS ELECTRONICS COMPANY LIMITED | IPB100N04S4-H2 TO-263; год: 2021+ | INFINEON | | 4000 | |
HK Future Electronic Co.,Ltd | IPB100N04S4-H2 год: 16+ | INFINEON | | 20000 | |
IPB180N04S4-H0 available; год: 21+ | Infineon | | 80000 | |
IPB180N04S4-H0 год: 22+ | INFINEON | | 80000 | |
IPB160N04S4-H1 год: 22+ | INFINEON | | 3000 | |
Digi-ic_SMART PIONEER electronic | IPB160N04S4H1ATMA1 MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 Подробнее | Infineon Technologies | | 144015 | |
IPB100N04S4H2ATMA1 MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 Подробнее | Infineon Technologies | | 141259 | |
IPP100N04S4H2AKSA1 MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 Подробнее | Infineon Technologies | | 136163 | |
IPB180N04S4H0ATMA1 MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3 Подробнее | Infineon Technologies | | 146668 | |
IPI100N04S4H2AKSA1 MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3 Подробнее | Infineon Technologies | | 136181 | |
Kyent Industrial Co., Limited | IPB180N04S4H0ATMA1 год: 21+ | INFINEON | | 5000 | |
IPB160N04S4H1ATMA1 год: 21+ | INFINEON | | 5000 | |
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED | IPB100N04S4-H2 год: 10+ | INFINEON | | 5700 | |
IPB180N04S4-H0 год: 20+ | INENOI | | 4559 | |
IPB180N04S4-H0 год: 22+ | INFINEON | | 7000 | |
IPB160N04S4-H1 год: 15+ | INFINEON | | 6166 | |
IPB100N04S4-H2 год: 20+ | INFINEON | | 4848 | |
IPB100N04S4H2ATMA1 год: 20+ | INFINEON | | 6190 | |
IPB180N04S4-H0 4N04H0 год: 1922+ | INFINEON | | 1259 | |
IPB160N04S4-H1 4N04H1 год: 1922+ | INFINEON | | 2655 | |
Shenzhen Chuanlan Electronics Ltd. | IPB100N04S4-H2 1day TO-263 22+ | INFINEON | | 20000 | |
IPB180N04S4-H0 3days PG-TO263-7 22+ | Infineon | | 5000 | |
IPB100N04S4-H2 3days PG-TO263-3 22+ | Infineon | | 5000 | |
ООО "Аркион" | IPB160N04S4-H1 PG-TO263-7 от 4-х недель; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: 23+ | Infineon Technologies | | 15000 | |
IPB100N04S4-H2 PG-TO263-3 от 4-х недель; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: 23+ | Infineon Technologies | | 15000 | |
IPB180N04S4-H0 PG-TO263-7 от 4-х недель; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: 23+ | Infineon Technologies | | 15000 | |
IPB100N04S4H2ATMA1 от 4-х недель; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: 23+ | Infineon Technologies | | 15000 | |
Shenzhen Sanfeng Technology Co., Ltd | IPB180N04S4H0ATMA1 | INFINEON | | 1000 | |
ООО "АН-ЧИП" | IPB180N04S4-H0 микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21 | Infineon Technologies | | 33681 | |
IPI100N04S4-H2 микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3-1 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21 | Infineon Technologies | | 33576 | |
IPB100N04S4-H2 микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21 | Infineon Technologies | | 33545 | |
IPP100N04S4-H2 микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3-1 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21 | Infineon Technologies | | 33577 | |
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd. | IPB180N04S4-H0 22+; год: 81000 | INFINEON | 263$ | | |
IPB160N04S4-H1 22+; год: 31830 | INFINEON | 2637$ | | |
IPB100N04S4-H2 22+; год: 45060 | INFINEON | 263$ | | |
IPB100N04S4H2ATMA1 22+; год: 32532 | INFINEON/ | 263$ | | |
IPB180N04S4-H0 4N04H0 22+; год: 2223 | INFINEON | 2637$ | | |
IPB160N04S4-H1 4N04H1 22+; год: 3655 | INFINEON | 263$ | | |
|
Jinghua Technology (HK) Co., Ltd | IPB180N04S4H0ATMA1 yпаковка: Trans MOSFET N-CH 40V 180A Aut; мин. заказ: : 1000; год: 22+/23+ | INFINEON | | 1000 | |
Дельта Электроника | IPB180N04S4H0ATMA1 | | 205.94 р. | 6-8 недель | |
IPB180N04S4H0ATMA1 | | | 6-8 недель | |
IPB160N04S4H1ATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 160 А, 40 В, 0.0014 Ом, 10 В, 3 В | | 562.5 р. | 6-8 недель | |
"Симметрон" | IPB180N04S4H0ATMA1 MOSFET транзистор IPB180N04S4H0ATMA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 40 В; Rds(on): 1,1 мОм; Qg: 173 нКл; Корпус: D2PAK 7pin (TO-263 7pin) Подробнее | Infineon | | | |
IPB160N04S4H1ATMA1 MOSFET транзистор IPB160N04S4H1ATMA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 40 В; Rds(on): 1,6 мОм; Qg: 105 нКл; Корпус: D2PAK 7pin (TO-263 7pin) Подробнее | Infineon | | | |
IPB100N04S4H2ATMA1 MOSFET транзистор IPB100N04S4H2ATMA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 40 В; Rds(on): 2,4 мОм; Qg: 70 нКл; Корпус: D2Pak (TO-263) Подробнее | Infineon | | | |