Новости производителей электронных компонентов

Микросхема может работать с нестабильными источниками, имеющими диапазон выходных мощностей от 1 мкВт до 100 мВт, имеет встроенный повышающий преобразователь для заряда элементов питания от источников с типовым значением выходного напряжения 0,75 В и встроенный регулятор для защиты батарей от перезаряда.

Благодаря высокому КПД до 84%, новые преобразователи могут работать с полной нагрузкой при температуре окружающей среды от -40 до +71°С, а при снижении нагрузки - и до +85°С при естественном охлаждении.

Линейка дополнена двумя типами преобразователей: HVLED807PF - микросхема для построения источников питания светодиодных светильников со встроенным корректором мощности до 7 Вт HVLED815PF - микросхема с интегрированным транзистором для ИП мощностью до 15 Вт

Ядро Cortex-M4F включает блок арифметики с плавающей точкой (FPU), блок защиты памяти (MPU), обеспечивает выполнение набора DSP-команд.

Таким образом, в отношении периферии USB упомянутые выше микроконтроллеры становятся идентичны STM32F207x, STM32F217x, STM32F407x and STM32F417x соответственно.

ATtiny828 может быть использован для развития проектов, построенных на базе ATtiny88, в которых требуется вдвое больший объем оперативной и/или EEPROM-памяти, большее количество аналоговых входов либо дополнительный UART.

При стабилизированном выходном токе 350 мА источник имеет выходное напряжение от 128 до 257 В, а при токе 700 мА – от 64 до 129 В. Источники тока с такими уровнями напряжения могут использоваться для питания светодиодных цепочек большой длины, которые часто применяются в системах светодиодного освещения.

Программа семинара: 10:00 — 11:15Тема 1: DC-DC преобразователи Выбор схемы управления DC-DC преобразователями Микросхемы контроля заряда аккумуляторов Микросхемы ключей Микросхемы управлением питанием Новые драйверы светодиодов Топовые микросхемы DC-DC преобразователей

LM5113 предназначен для управления полевыми транзисторами на основе нитрида галлия (GaN FET), работающих в режиме насыщения, верхнего и нижнего плеча в синхронной повышающей или полумостовой конфигурациях. Драйвер верхнего ключа способен управлять GaN FET транзисторами в режиме насыщения с рабочим напряжением до 100 В.

Другой особенностью CXA1507 является то, что параметры приводятся при температуре кристалла не 25°С (Tj), как обычно для светодиодов, а при температуре 85°С, что наиболее точно отражает характеристики, которые будут получены в реальном изделии;