MG150J1ZS50 Toshiba Vces (volts) = 600 ; Ic (amps) = 150 ; Vce (sat) Max = 2.7 ; Ton (usec) = 0.4* ; Toff (usec) = 0.5* Документация и описания электронных компонентов

Маркировка	MG150J1ZS50
Производитель	Toshiba Semiconductor (www.semicon.toshiba.co.jp)
Комментарий	Vces (volts) = 600 ; Ic (amps) = 150 ; Vce (sat) Max = 2.7 ; Ton (usec) = 0.4* ; Toff (usec) = 0.5*
Функционал	IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) (IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors))

Размер файла	Страниц: 5, 298.26Кб
Скачать файл	Оригинальный PDF Архив WinZIP
Предпросмотр	HTML страница

Электронный компонент «MG150J1ZS50»