GT30J322 Toshiba N Channel Mos Type (The 4th Generation Current Resonance Inverter Switching Applications) Документация и описания электронных компонентов

Маркировка	GT30J322
Производитель	Toshiba Semiconductor (www.semicon.toshiba.co.jp)
Комментарий	N Channel Mos Type (The 4th Generation Current Resonance Inverter Switching Applications)
Функционал	IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) (IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors))

Размер файла	Страниц: 5, 258.78Кб
Скачать файл	Оригинальный PDF Архив WinZIP
Предпросмотр	HTML страница

Электронный компонент «GT30J322»