GT15J103SM Toshiba Vces (volts) = 600 ; Ic (amps) = 15 ; Vce (sat) Max = 4 ; Ton (usec) = 0.8 ; Toff (usec) = 1 ; Additional Information = More Info Документация и описания электронных компонентов

Маркировка	GT15J103SM
Производитель	Toshiba Semiconductor (www.semicon.toshiba.co.jp)
Комментарий	Vces (volts) = 600 ; Ic (amps) = 15 ; Vce (sat) Max = 4 ; Ton (usec) = 0.8 ; Toff (usec) = 1 ; Additional Information = More Info
Функционал	IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) (IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors))

Размер файла	Страниц: 3, 206.88Кб
Скачать файл	Оригинальный PDF Архив WinZIP
Предпросмотр	HTML страница

Электронный компонент «GT15J103SM»