Датчики, сенсоры  ·  Датчики отражения - Аналоговый выход

Дистанция чувствительная: 3.05 мм (0.120")  ·  Sensing Method: Reflective  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Ток коллектора (макс): 30mA  ·  Ток - DC: 50mA  ·  Тип выхода: Phototransistor  ·  Быстродействие: 15µs, 15µs  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: Module, Pre-Wired  ·  Operating Temperature: -40°C ~ 100°C

Дистанция чувствительная: 3.81 мм (0.150")  ·  Sensing Method: Reflective  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Ток - DC: 40mA  ·  Тип выхода: Phototransistor  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: Module, Pre-Wired  ·  Operating Temperature: -40°C ~ 80°C

Дистанция чувствительная: 3.81 мм (0.150")  ·  Sensing Method: Reflective  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Ток - DC: 40mA  ·  Тип выхода: Phototransistor  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: Module, Pre-Wired  ·  Operating Temperature: -40°C ~ 80°C

Дистанция чувствительная: 3.81 мм (0.150")  ·  Sensing Method: Reflective  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Ток коллектора (макс): 25mA  ·  Ток - DC: 40mA  ·  Тип выхода: Phototransistor  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: Module, Pre-Wired

Дистанция чувствительная: 3.81 мм (0.150")  ·  Sensing Method: Reflective  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Ток - DC: 40mA  ·  Тип выхода: Phototransistor  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: Module, Pre-Wired  ·  Operating Temperature: -40°C ~ 80°C

Дистанция чувствительная: 3.81 мм (0.150")  ·  Sensing Method: Reflective  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Ток коллектора (макс): 25mA  ·  Ток - DC: 40mA  ·  Тип выхода: Phototransistor  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: Module, Pre-Wired

Дистанция чувствительная: 3.81 мм (0.150")  ·  Sensing Method: Reflective  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Ток коллектора (макс): 25mA  ·  Ток - DC: 40mA  ·  Тип выхода: Phototransistor  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: Module, Pre-Wired

Дистанция чувствительная: 3.81 мм (0.150")  ·  Sensing Method: Reflective  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Ток - DC: 40mA  ·  Тип выхода: Phototransistor  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: Module, Pre-Wired  ·  Operating Temperature: -40°C ~ 80°C

Дистанция чувствительная: 3.81 мм (0.150")  ·  Sensing Method: Reflective  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Ток - DC: 40mA  ·  Тип выхода: Photodarlington  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: Module, Pre-Wired  ·  Operating Temperature: -40°C ~ 80°C

Дистанция чувствительная: 5.08 мм (0.200")  ·  Sensing Method: Reflective  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Ток - DC: 50mA  ·  Тип выхода: Phototransistor  ·  Быстродействие: 12µs, 12µs  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: Module, Pre-Wired  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 125°C

Дистанция чувствительная: 5.08 мм (0.200")  ·  Sensing Method: Reflective  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Ток - DC: 100mA  ·  Тип выхода: Photodarlington  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: Module, Pre-Wired  ·  Operating Temperature: -40°C ~ 100°C

Дистанция чувствительная: 5.08 мм (0.200")  ·  Sensing Method: Reflective  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Ток - DC: 100mA  ·  Тип выхода: Photodarlington  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: Module, Pre-Wired  ·  Operating Temperature: -40°C ~ 100°C

Дистанция чувствительная: 5.08 мм (0.200")  ·  Sensing Method: Reflective  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 24V  ·  Ток - DC: 100mA  ·  Тип выхода: Phototransistor  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: Module, Pre-Wired  ·  Operating Temperature: -40°C ~ 100°C