Датчики, сенсоры  ·  Датчики отражения - Аналоговый выход

Дистанция чувствительная: 0.7 мм (0.028")  ·  Sensing Method: Reflective  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 35V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Ток - DC: 50mA  ·  Тип выхода: Photodarlington  ·  Быстродействие: 80µs, 70µs  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: PCB Mount  ·  Operating Temperature: -25°C ~ 85°C

Дистанция чувствительная: 15 мм (0.591")  ·  Sensing Method: Reflective  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 70V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток - DC: 60mA  ·  Тип выхода: Phototransistor  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: PCB Mount  ·  Operating Temperature: -25°C ~ 85°C

Дистанция чувствительная: 15 мм (0.591")  ·  Sensing Method: Reflective  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 70V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток - DC: 60mA  ·  Тип выхода: Phototransistor  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: PCB Mount  ·  Operating Temperature: -25°C ~ 85°C

Дистанция чувствительная: 5 мм (0.197")  ·  Sensing Method: Reflective  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Ток - DC: 50mA  ·  Тип выхода: Phototransistor  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: PCB Mount  ·  Operating Temperature: -40°C ~ 85°C

Дистанция чувствительная: 1.27 мм (0.050")  ·  Sensing Method: Reflective  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Ток - DC: 50mA  ·  Тип выхода: Phototransistor  ·  Быстродействие: 10µs, 50µs  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: PCB Mount  ·  Operating Temperature: -40°C ~ 85°C

Дистанция чувствительная: 1 мм (0.039")  ·  Sensing Method: Reflective  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 35V  ·  Ток коллектора (макс): 20mA  ·  Ток - DC: 50mA  ·  Тип выхода: Phototransistor  ·  Быстродействие: 30µs, 40µs  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 4-SMD  ·  Operating Temperature: -25°C ~ 85°C

Дистанция чувствительная: 3.81 мм (0.150")  ·  Sensing Method: Reflective  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Ток коллектора (макс): 20mA  ·  Ток - DC: 50mA  ·  Тип выхода: Phototransistor  ·  Быстродействие: 8µs, 8µs  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: PCB Mount  ·  Operating Temperature: -40°C ~ 85°C

Дистанция чувствительная: 0.7 мм (0.028")  ·  Sensing Method: Reflective  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 35V  ·  Ток коллектора (макс): 20mA  ·  Ток - DC: 50mA  ·  Тип выхода: Phototransistor  ·  Быстродействие: 20µs, 20µs  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 4-SMD  ·  Operating Temperature: -25°C ~ 85°C

Дистанция чувствительная: 0.7 мм (0.028")  ·  Sensing Method: Reflective  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 35V  ·  Ток коллектора (макс): 20mA  ·  Ток - DC: 50mA  ·  Тип выхода: Phototransistor  ·  Быстродействие: 20µs, 20µs  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 4-SMD  ·  Operating Temperature: -25°C ~ 85°C

Дистанция чувствительная: 14 мм (0.551")  ·  Sensing Method: Reflective  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 35V  ·  Ток коллектора (макс): 20mA  ·  Ток - DC: 60mA  ·  Тип выхода: Phototransistor  ·  Быстродействие: 20µs, 20µs  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: PCB Mount  ·  Operating Temperature: -25°C ~ 85°C

Дистанция чувствительная: 3.81 мм (0.150")  ·  Sensing Method: Reflective  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Ток коллектора (макс): 20mA  ·  Ток - DC: 50mA  ·  Тип выхода: Phototransistor  ·  Быстродействие: 8µs, 8µs  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: Module, Pre-Wired  ·  Operating Temperature: -40°C ~ 85°C

Дистанция чувствительная: 5 мм (0.197")  ·  Sensing Method: Reflective  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Ток коллектора (макс): 10mA  ·  Ток - DC: 50mA  ·  Тип выхода: Phototransistor  ·  Быстродействие: 50µs, 50µs  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-SMD  ·  Operating Temperature: -40°C ~ 100°C