Интегральные микросхемы  ·  Опорные источники

Тип ссылки: Shunt  ·  Напряжение выходное: 1.25V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±0.12%  ·  Температурный коэфициент: 50ppm/°C  ·  Количество каналов: 1  ·  Ток - катод: 60µA  ·  Ток выходной: 10mA  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 85°C  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Напряжение выходное: 1.2V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±0.4%  ·  Температурный коэфициент: 40ppm/°C  ·  Напряжение-входящее: 2.4 ~ 5.5 V  ·  Количество каналов: 1  ·  Ток в рабочей точке(ВАХ): 16µA  ·  Ток выходной: 100µA  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 85°C  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3

Напряжение выходное: 1.2V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±0.4%  ·  Температурный коэфициент: 40ppm/°C  ·  Напряжение-входящее: 2.4 ~ 5.5 V  ·  Количество каналов: 1  ·  Ток в рабочей точке(ВАХ): 16µA  ·  Ток выходной: 100µA  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 85°C  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3

Напряжение выходное: 1.2V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±0.4%  ·  Температурный коэфициент: 40ppm/°C  ·  Напряжение-входящее: 2.4 ~ 5.5 V  ·  Количество каналов: 1  ·  Ток в рабочей точке(ВАХ): 16µA  ·  Ток выходной: 100µA  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 85°C  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Напряжение выходное: 1.2V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±0.4%  ·  Температурный коэфициент: 40ppm/°C  ·  Напряжение-входящее: 2.4 ~ 5.5 V  ·  Количество каналов: 1  ·  Ток в рабочей точке(ВАХ): 16µA  ·  Ток выходной: 100µA  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 85°C  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Напряжение выходное: 1.2V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±0.4%  ·  Температурный коэфициент: 40ppm/°C  ·  Напряжение-входящее: 2.4 ~ 5.5 V  ·  Количество каналов: 1  ·  Ток в рабочей точке(ВАХ): 16µA  ·  Ток выходной: 100µA  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 85°C  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Серия: XFET®  ·  Напряжение выходное: 2.5V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±0.08%  ·  Температурный коэфициент: 10ppm/°C  ·  Напряжение-входящее: 2.8 ~ 15 V  ·  Количество каналов: 1  ·  Ток в рабочей точке(ВАХ): 15µA  ·  Ток выходной: 5mA  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)

Серия: XFET®  ·  Напряжение выходное: 2.5V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±0.08%  ·  Температурный коэфициент: 10ppm/°C  ·  Напряжение-входящее: 2.8 ~ 15 V  ·  Количество каналов: 1  ·  Ток в рабочей точке(ВАХ): 15µA  ·  Ток выходной: 5mA  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)

Серия: XFET®  ·  Напряжение выходное: 2.5V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±0.12%  ·  Температурный коэфициент: 20ppm/°C  ·  Напряжение-входящее: 2.8 ~ 15 V  ·  Количество каналов: 1  ·  Ток в рабочей точке(ВАХ): 15µA  ·  Ток выходной: 5mA  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)

Серия: XFET®  ·  Напряжение выходное: 2.5V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±0.12%  ·  Температурный коэфициент: 20ppm/°C  ·  Напряжение-входящее: 2.8 ~ 15 V  ·  Количество каналов: 1  ·  Ток в рабочей точке(ВАХ): 15µA  ·  Ток выходной: 5mA  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)

Серия: XFET®  ·  Напряжение выходное: 2.5V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±0.12%  ·  Температурный коэфициент: 20ppm/°C  ·  Напряжение-входящее: 2.8 ~ 15 V  ·  Количество каналов: 1  ·  Ток в рабочей точке(ВАХ): 15µA  ·  Ток выходной: 5mA  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)

Серия: XFET®  ·  Напряжение выходное: 2.5V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±0.24%  ·  Температурный коэфициент: 30ppm/°C  ·  Напряжение-входящее: 2.8 ~ 15 V  ·  Количество каналов: 1  ·  Ток в рабочей точке(ВАХ): 15µA  ·  Ток выходной: 5mA  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)