Интегральные микросхемы  ·  Конфигурируемые PROM для FPGA

Серия: EPC  ·  Тип программирования: In System Prograммable  ·  Объем памяти: 1.6Mb  ·  Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V, 4.5 V ~ 5.5 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 85°C  ·  Корпус: 32-TQFP

Серия: EPC  ·  Тип программирования: In System Prograммable  ·  Объем памяти: 4Mb  ·  Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 100-PQFP

Тип программирования: In System Prograммable  ·  Объем памяти: 4Mb  ·  Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 85°C  ·  Корпус: 100-PQFP

Серия: EPC  ·  Тип программирования: In System Prograммable  ·  Объем памяти: 8Mb  ·  Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 100-PQFP

Серия: EPC  ·  Тип программирования: In System Prograммable  ·  Объем памяти: 8Mb  ·  Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 85°C  ·  Корпус: 100-PQFP

Серия: EPCS  ·  Тип программирования: In System Prograммable  ·  Объем памяти: 16Mb  ·  Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 85°C  ·  Корпус: 16-SOIC (7.5мм ширина)

Серия: EPCS  ·  Тип программирования: In System Prograммable  ·  Объем памяти: 1Mb  ·  Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 85°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)

Серия: EPCS  ·  Тип программирования: In System Prograммable  ·  Объем памяти: 4Mb  ·  Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 85°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)

Серия: EPCS  ·  Тип программирования: In System Prograммable  ·  Объем памяти: 64Mb  ·  Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 85°C  ·  Корпус: 16-SOIC (7.5мм ширина)

Тип программирования: OTP  ·  Объем памяти: 1Mb  ·  Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 85°C  ·  Корпус: 20-PLCC

Тип программирования: OTP  ·  Объем памяти: 1Mb  ·  Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 8-DIP (300 mil)

Тип программирования: OTP  ·  Объем памяти: 1Mb  ·  Напряжение питания: 4.75 V ~ 5.25 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 20-PLCC

Тип программирования: OTP  ·  Объем памяти: 1Mb  ·  Напряжение питания: 4.75 V ~ 5.25 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 8-DIP (300 mil)