Интегральные микросхемы  ·  Корректировка коэффициента мощности (PFC)

Режим: Average Current  ·  Частота - переключений: 500kHz  ·  Напряжение старта: 150µA  ·  Напряжение питания: 15.5 V ~ 20 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 20-SOIC (7.5мм ширина)

Режим: Average Current  ·  Частота - переключений: 500kHz  ·  Напряжение старта: 150µA  ·  Напряжение питания: 15.5 V ~ 20 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 20-SOIC (7.5мм ширина)

Режим: Average Current  ·  Частота - переключений: 500kHz  ·  Напряжение старта: 150µA  ·  Напряжение питания: 15.5 V ~ 20 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 20-DIP (300 mil)

Режим: Average Current  ·  Частота - переключений: 500kHz  ·  Напряжение старта: 150µA  ·  Напряжение питания: 10.5 V ~ 20 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 20-SOIC (7.5мм ширина)

Режим: Average Current  ·  Частота - переключений: 500kHz  ·  Напряжение старта: 150µA  ·  Напряжение питания: 10.5 V ~ 20 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 20-SOIC (7.5мм ширина)

Режим: Average Current  ·  Частота - переключений: 500kHz  ·  Напряжение старта: 150µA  ·  Напряжение питания: 10.5 V ~ 20 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 20-DIP (300 mil)

Режим: Continuous Conduction (CCM)  ·  Частота - переключений: 65кГц  ·  Напряжение старта: 100µA  ·  Напряжение питания: 11 V ~ 21 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C

Режим: Continuous Conduction (CCM)  ·  Частота - переключений: 65кГц  ·  Напряжение старта: 100µA  ·  Напряжение питания: 11 V ~ 21 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-DIP (300 mil)

Режим: Continuous Conduction (CCM)  ·  Частота - переключений: 65кГц  ·  Напряжение старта: 100µA  ·  Напряжение питания: 11 V ~ 21 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C

Режим: Continuous Conduction (CCM)  ·  Частота - переключений: 65кГц  ·  Напряжение старта: 100µA  ·  Напряжение питания: 11 V ~ 21 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C

Режим: Discontinuous (Transition)  ·  Частота - переключений: 200kHz  ·  Напряжение старта: 75µA  ·  Напряжение питания: 15.4 V ~ 18 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 105°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)

Режим: Discontinuous (Transition)  ·  Частота - переключений: 200kHz  ·  Напряжение старта: 75µA  ·  Напряжение питания: 15.4 V ~ 18 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 105°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)

Режим: Discontinuous (Transition)  ·  Частота - переключений: 200kHz  ·  Напряжение старта: 75µA  ·  Напряжение питания: 15.4 V ~ 18 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 105°C  ·  Корпус: 8-DIP (300 mil)