Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
NCP3418DR2G | ON Semiconductor | IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 30ns · Ток пиковое значение: 1.5A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 30В · Напряжение питания: 4.6 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: 0°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
NCP3418ADR2G | ON Semiconductor | IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 30ns · Ток пиковое значение: 1.5A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 30В · Напряжение питания: 4.6 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: 0°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
NCP3418ADR2 | ON Semiconductor | IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 30ns · Ток пиковое значение: 1.5A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 30В · Напряжение питания: 4.6 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: 0°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
NCP3488DR2G | ON Semiconductor | IC MOSFET DRVR DUAL 12V 8-SOIC Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 30ns · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 30В · Напряжение питания: 4.6 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: 0°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
NCP3418BMNR2G | ON Semiconductor | IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 10-DFN Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 30ns · Ток пиковое значение: 1.5A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 30В · Напряжение питания: 4.6 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: 0°C ~ 85°C · Корпус: 10-DFN | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
NCP3418APDR2 | ON Semiconductor | IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 30ns · Ток пиковое значение: 1.5A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 30В · Напряжение питания: 4.6 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: 0°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC | Доп. информация Искать в поставщиках |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |