Интегральные микросхемы · MOSFET (внешнее переключение)

Производитель	National Semiconductor
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Конфигурация	Half Bridge
Тип входа	PWM
Время задержки	115ns
Ток пиковое значение	1.8A
Число конфигураций	1
Число выходов	2
Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка)	118V
Напряжение питания	8 V ~ 14 V
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Корпус	10-MSOP, Micro10™, 10-uMAX, 10-uSOP
Встречается под наим.	LM5106MMX

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	LM5106MM/NOPB	National Semiconductor	IC DVR HALF-BRIDGE HV 10-MSOP Конфигурация: Half Bridge · Тип входа: PWM · Время задержки: 115ns · Ток пиковое значение: 1.8A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 118V · Напряжение питания: 8 V ~ 14 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 10-MSOP, Micro10™, 10-uMAX, 10-uSOP	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	LM5106SDX/NOPB	National Semiconductor	IC GATE DRIVER HALF BRIDGE 10LLP Конфигурация: Half Bridge · Тип входа: PWM · Время задержки: 115ns · Ток пиковое значение: 1.8A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 118V · Напряжение питания: 8 V ~ 14 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 10-LLP	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	LM5106SD/NOPB	National Semiconductor	IC GATE DRIVER HALF BRIDGE 10LLP Конфигурация: Half Bridge · Тип входа: PWM · Время задержки: 115ns · Ток пиковое значение: 1.8A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 118V · Напряжение питания: 8 V ~ 14 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 10-LLP	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов