 |
ISL6613AEIBZ-T — IC MOSFET DVR SYNC BUCK 8EPSOIC
| ||||||||||||||||||||||||||||
| Войти Регистрация |
|
|||||||||||||||||||||||||||||||
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
| ISL6613EIBZ | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 10.0ns · Ток пиковое значение: 1.25A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 36V · Напряжение питания: 10.8 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| ISL6612EIBZ-T | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 10.0ns · Ток пиковое значение: 1.25A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 36V · Напряжение питания: 10.8 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| ISL6613EIB | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 10.0ns · Ток пиковое значение: 1.25A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 36V · Напряжение питания: 10.8 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
| ISL6613EIBZ-T | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 10.0ns · Ток пиковое значение: 1.25A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 36V · Напряжение питания: 10.8 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| ISL6612EIB | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 10.0ns · Ток пиковое значение: 1.25A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 36V · Напряжение питания: 10.8 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
| ISL6612AEIBZ-T | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 10.0ns · Ток пиковое значение: 1.25A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 36V · Напряжение питания: 10.8 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| ISL6613AEIBZ | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 10.0ns · Ток пиковое значение: 1.25A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 36V · Напряжение питания: 10.8 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| ISL6612AEIB | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 10.0ns · Ток пиковое значение: 1.25A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 36V · Напряжение питания: 10.8 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
| ISL6612EIBZ | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 10.0ns · Ток пиковое значение: 1.25A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 36V · Напряжение питания: 10.8 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| ISL6612EIB-T | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 10.0ns · Ток пиковое значение: 1.25A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 36V · Напряжение питания: 10.8 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
| ISL6612AEIB-T | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 10.0ns · Ток пиковое значение: 1.25A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 36V · Напряжение питания: 10.8 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
| ISL6613EIB-T | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 10.0ns · Ток пиковое значение: 1.25A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 36V · Напряжение питания: 10.8 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
| ISL6613AEIB | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 10.0ns · Ток пиковое значение: 1.25A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 36V · Напряжение питания: 10.8 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
| ISL6612AEIBZ | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 10.0ns · Ток пиковое значение: 1.25A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 36V · Напряжение питания: 10.8 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| ISL6613AEIB-T | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 10.0ns · Ток пиковое значение: 1.25A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 36V · Напряжение питания: 10.8 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC | Доп. информация Искать в поставщиках |
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
 | ISL6612IRZ-TR5238 | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 10.0ns · Ток пиковое значение: 1.25A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 36V · Напряжение питания: 10.8 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 10-DFN | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
 | ISL6612IRZ-T | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 10.0ns · Ток пиковое значение: 1.25A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 36V · Напряжение питания: 10.8 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 10-DFN | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
 | ISL6612IBZ | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 10.0ns · Ток пиковое значение: 1.25A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 36V · Напряжение питания: 10.8 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| ISL6612IRZ | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 10.0ns · Ток пиковое значение: 1.25A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 36V · Напряжение питания: 10.8 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 10-DFN | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| ISL6613IBZ-T | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 10.0ns · Ток пиковое значение: 1.25A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 36V · Напряжение питания: 10.8 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| ISL6612AIBZ-T | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 10.0ns · Ток пиковое значение: 1.25A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 36V · Напряжение питания: 10.8 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| ISL6612IBZR5238 | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 10.0ns · Ток пиковое значение: 1.25A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 36V · Напряжение питания: 10.8 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| ISL6613ECBZR5214 | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 10.0ns · Ток пиковое значение: 1.25A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 36V · Напряжение питания: 10.8 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: 0°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| ISL6613BEIBZ-T | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 10.0ns · Ток пиковое значение: 1.25A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 36V · Напряжение питания: 7 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| ISL6612AECB | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 10.0ns · Ток пиковое значение: 1.25A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 36V · Напряжение питания: 10.8 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: 0°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC | Доп. информация Искать в поставщиках |
| © 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |
RoHS 
Без свинца