Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Интегральные микросхемы  ·  MOSFET (внешнее переключение)

 

HIP2101IRT — IC DRVR HALF BRIDGE 100V 16-QFN

ПроизводительIntersil
КонфигурацияHalf Bridge
Тип входаPWM
Время задержки25ns
Ток пиковое значение2A
Число конфигураций1
Число выходов2
Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка)100V
Напряжение питания9 V ~ 14 V
Рабочая температура-40°C ~ 125°C
Корпус16-QFN
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
HIP2101IRZIntersilIC DRVR HALF BRIDGE 100V 16-QFN
Конфигурация: Half Bridge  ·  Тип входа: PWM  ·  Время задержки: 25ns  ·  Ток пиковое значение: 2A  ·  Число конфигураций: 1  ·  Число выходов: 2  ·  Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 100V  ·  Напряжение питания: 9 V ~ 14 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 16-QFN
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
HIP2101IRZTIntersilIC DRVR HALF BRIDGE 100V 16-QFN
Конфигурация: Half Bridge  ·  Тип входа: PWM  ·  Время задержки: 25ns  ·  Ток пиковое значение: 2A  ·  Число конфигураций: 1  ·  Число выходов: 2  ·  Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 100V  ·  Напряжение питания: 9 V ~ 14 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 16-QFN
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
HIP2101IRHIP2101IRIntersilIC DRIVER HALF-BRIDGE 16-QFN
Конфигурация: Half Bridge  ·  Тип входа: PWM  ·  Время задержки: 25ns  ·  Ток пиковое значение: 2A  ·  Число конфигураций: 1  ·  Число выходов: 2  ·  Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 100V  ·  Напряжение питания: 9 V ~ 14 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 16-QFN
Доп. информация
Искать в поставщиках

Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
HIP2101IR4ZIntersilIC DRVR HALF BRIDGE 100V 12-DFN
Конфигурация: Half Bridge  ·  Тип входа: PWM  ·  Время задержки: 25ns  ·  Ток пиковое значение: 2A  ·  Число конфигураций: 1  ·  Число выходов: 2  ·  Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 100V  ·  Напряжение питания: 9 V ~ 14 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 12-DFN
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
HIP2101EIBZHIP2101EIBZIntersilIC DRIVER HALF BRDG 100V 8EPSOIC
Конфигурация: Half Bridge  ·  Тип входа: PWM  ·  Время задержки: 25ns  ·  Ток пиковое значение: 2A  ·  Число конфигураций: 1  ·  Число выходов: 2  ·  Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 100V  ·  Напряжение питания: 9 V ~ 14 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
HIP2101EIBZTHIP2101EIBZTIntersilIC DRIVER HALF BRDG 100V 8EPSOIC
Конфигурация: Half Bridge  ·  Тип входа: PWM  ·  Время задержки: 25ns  ·  Ток пиковое значение: 2A  ·  Число конфигураций: 1  ·  Число выходов: 2  ·  Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 100V  ·  Напряжение питания: 9 V ~ 14 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
HIP2101IBZTHIP2101IBZTIntersilIC DRIVER HALF BRDG 100V 8-SOIC
Конфигурация: Half Bridge  ·  Тип входа: PWM  ·  Время задержки: 25ns  ·  Ток пиковое значение: 2A  ·  Число конфигураций: 1  ·  Число выходов: 2  ·  Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 100V  ·  Напряжение питания: 9 V ~ 14 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
HIP2101IR4TIntersilIC DRVR HALF BRIDGE 100V 12-DFN
Конфигурация: Half Bridge  ·  Тип входа: PWM  ·  Время задержки: 25ns  ·  Ток пиковое значение: 2A  ·  Число конфигураций: 1  ·  Число выходов: 2  ·  Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 100V  ·  Напряжение питания: 9 V ~ 14 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 12-DFN
Доп. информация
Искать в поставщиках
HIP2101IR4IntersilIC DRVR HALF BRIDGE 100V 12-DFN
Конфигурация: Half Bridge  ·  Тип входа: PWM  ·  Время задержки: 25ns  ·  Ток пиковое значение: 2A  ·  Число конфигураций: 1  ·  Число выходов: 2  ·  Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 100V  ·  Напряжение питания: 9 V ~ 14 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 12-DFN
Доп. информация
Искать в поставщиках
HIP2101IR4ZTIntersilIC DRVR HALF BRIDGE 100V 12-DFN
Конфигурация: Half Bridge  ·  Тип входа: PWM  ·  Время задержки: 25ns  ·  Ток пиковое значение: 2A  ·  Число конфигураций: 1  ·  Число выходов: 2  ·  Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 100V  ·  Напряжение питания: 9 V ~ 14 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 12-DFN
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
HIP2101IBTIntersilIC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC
Конфигурация: Half Bridge  ·  Тип входа: PWM  ·  Время задержки: 25ns  ·  Ток пиковое значение: 2A  ·  Число конфигураций: 1  ·  Число выходов: 2  ·  Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 100V  ·  Напряжение питания: 9 V ~ 14 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
HIP2101EIBTIntersilIC DRVR HALF BRDG 100V 8EP-SOIC
Конфигурация: Half Bridge  ·  Тип входа: PWM  ·  Время задержки: 25ns  ·  Ток пиковое значение: 2A  ·  Число конфигураций: 1  ·  Число выходов: 2  ·  Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 100V  ·  Напряжение питания: 9 V ~ 14 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC
Доп. информация
Искать в поставщиках
HIP2101IBHIP2101IBIntersilIC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC
Конфигурация: Half Bridge  ·  Тип входа: PWM  ·  Время задержки: 25ns  ·  Ток пиковое значение: 2A  ·  Число конфигураций: 1  ·  Число выходов: 2  ·  Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 100V  ·  Напряжение питания: 9 V ~ 14 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
HIP2101EIBIntersilIC DRVR HALF BRDG 100V 8EP-SOIC
Конфигурация: Half Bridge  ·  Тип входа: PWM  ·  Время задержки: 25ns  ·  Ток пиковое значение: 2A  ·  Число конфигураций: 1  ·  Число выходов: 2  ·  Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 100V  ·  Напряжение питания: 9 V ~ 14 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
HIP2101IBZHIP2101IBZIntersilIC DRIVER HALF-BRIDGE 8SOIC
Конфигурация: Half Bridge  ·  Тип входа: PWM  ·  Время задержки: 25ns  ·  Ток пиковое значение: 2A  ·  Число конфигураций: 1  ·  Число выходов: 2  ·  Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 100V  ·  Напряжение питания: 9 V ~ 14 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «HIP2101IRT» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте