Интегральные микросхемы  ·  MOSFET (внешнее переключение)

Конфигурация: Low-Side  ·  Тип входа: Inverting and Non-Inverting  ·  Время задержки: 100ns  ·  Ток пиковое значение: 1.5A  ·  Число конфигураций: 1  ·  Число выходов: 1  ·  Напряжение питания: 5 V ~ 40 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 8-DIP (300 mil)

Конфигурация: Low-Side  ·  Тип входа: Inverting and Non-Inverting  ·  Время задержки: 100ns  ·  Ток пиковое значение: 1.5A  ·  Число конфигураций: 2  ·  Число выходов: 2  ·  Напряжение питания: 5 V ~ 40 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 16-DIP (300 mil)

Конфигурация: Low-Side  ·  Тип входа: Inverting and Non-Inverting  ·  Время задержки: 100ns  ·  Ток пиковое значение: 1.5A  ·  Число конфигураций: 1  ·  Число выходов: 1  ·  Напряжение питания: 5 V ~ 40 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: TO-220-5 (Straight Leads)

Конфигурация: Low-Side  ·  Тип входа: PWM  ·  Время задержки: 50ns  ·  Ток пиковое значение: 1A  ·  Число конфигураций: 2  ·  Число выходов: 2  ·  Напряжение питания: 7 V ~ 20 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 8-SOIC

Конфигурация: Low-Side  ·  Тип входа: PWM  ·  Время задержки: 50ns  ·  Ток пиковое значение: 1A  ·  Число конфигураций: 2  ·  Число выходов: 2  ·  Напряжение питания: 7 V ~ 20 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 85°C  ·  Корпус: 8-DIP (300 mil)

Конфигурация: Low-Side  ·  Тип входа: PWM  ·  Время задержки: 50ns  ·  Ток пиковое значение: 1A  ·  Число конфигураций: 2  ·  Число выходов: 2  ·  Напряжение питания: 7 V ~ 20 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 8-DIP (300 mil)

Конфигурация: Low-Side  ·  Тип входа: PWM  ·  Время задержки: 50ns  ·  Ток пиковое значение: 2A  ·  Число конфигураций: 2  ·  Число выходов: 2  ·  Напряжение питания: 7 V ~ 20 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 8-DIP (300 mil)

Конфигурация: Low-Side  ·  Тип входа: PWM  ·  Время задержки: 50ns  ·  Ток пиковое значение: 2A  ·  Число конфигураций: 2  ·  Число выходов: 2  ·  Напряжение питания: 7 V ~ 20 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 8-DIP (300 mil)

Конфигурация: Low-Side  ·  Тип входа: PWM  ·  Время задержки: 50ns  ·  Ток пиковое значение: 2A  ·  Число конфигураций: 2  ·  Число выходов: 2  ·  Напряжение питания: 7 V ~ 20 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)

Конфигурация: Low-Side  ·  Тип входа: PWM  ·  Время задержки: 50ns  ·  Ток пиковое значение: 1A  ·  Число конфигураций: 2  ·  Число выходов: 2  ·  Напряжение питания: 7 V ~ 20 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)

Конфигурация: Low-Side  ·  Тип входа: Inverting and Non-Inverting  ·  Время задержки: 100ns  ·  Ток пиковое значение: 1.5A  ·  Число конфигураций: 2  ·  Число выходов: 2  ·  Напряжение питания: 5 V ~ 40 V  ·  Рабочая температура: -25°C ~ 85°C  ·  Корпус: 16-DIP (300 mil)

Конфигурация: Low-Side  ·  Тип входа: Inverting and Non-Inverting  ·  Время задержки: 100ns  ·  Ток пиковое значение: 1.5A  ·  Число конфигураций: 1  ·  Число выходов: 1  ·  Напряжение питания: 5 V ~ 40 V  ·  Рабочая температура: -25°C ~ 85°C  ·  Корпус: 8-DIP (300 mil)