Интегральные микросхемы  ·  MOSFET (внешнее переключение)

Конфигурация: Low-Side  ·  Тип входа: NAND  ·  Время задержки: 40ns  ·  Ток пиковое значение: 500mA  ·  Число конфигураций: 4  ·  Число выходов: 4  ·  Напряжение питания: 5 V ~ 24 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 16-SOIC (3.9мм ширина)

Конфигурация: Low-Side  ·  Тип входа: NAND  ·  Время задержки: 40ns  ·  Ток пиковое значение: 500mA  ·  Число конфигураций: 4  ·  Число выходов: 4  ·  Напряжение питания: 5 V ~ 24 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 16-SOIC (3.9мм ширина)

Конфигурация: High and Low Side, Synchronous  ·  Тип входа: PWM  ·  Ток пиковое значение: 2A  ·  Число конфигураций: 1  ·  Число выходов: 2  ·  Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 33V  ·  Напряжение питания: 6.8 V ~ 8.8 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-SOIC

Конфигурация: High and Low Side, Synchronous  ·  Тип входа: PWM  ·  Ток пиковое значение: 2A  ·  Число конфигураций: 1  ·  Число выходов: 2  ·  Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 33V  ·  Напряжение питания: 6.8 V ~ 8.8 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-SOIC

Конфигурация: High and Low Side, Synchronous  ·  Тип входа: PWM  ·  Ток пиковое значение: 2A  ·  Число конфигураций: 1  ·  Число выходов: 2  ·  Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 33V  ·  Напряжение питания: 6.8 V ~ 8.8 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-SON

Конфигурация: High and Low Side, Synchronous  ·  Тип входа: PWM  ·  Ток пиковое значение: 2A  ·  Число конфигураций: 1  ·  Число выходов: 2  ·  Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 33V  ·  Напряжение питания: 6.8 V ~ 8.8 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)

Конфигурация: High-Side  ·  Тип входа: Self Oscillating  ·  Ток пиковое значение: 1.5A  ·  Число конфигураций: 1  ·  Число выходов: 1  ·  Напряжение питания: 4 V ~ 5.5 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)

Конфигурация: Low-Side  ·  Тип входа: Non-Inverting  ·  Ток пиковое значение: 2A  ·  Число конфигураций: 2  ·  Число выходов: 2  ·  Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)

Конфигурация: High-Side  ·  Тип входа: Self Oscillating  ·  Ток пиковое значение: 1.5A  ·  Число конфигураций: 1  ·  Число выходов: 1  ·  Напряжение питания: 4 V ~ 5.5 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)

Серия: SmartRectifier™  ·  Конфигурация: Low-Side  ·  Тип входа: Self Oscillating  ·  Время задержки: 60ns  ·  Ток пиковое значение: 2A  ·  Число конфигураций: 1  ·  Число выходов: 1  ·  Напряжение питания: 12 V ~ 18 V  ·  Рабочая температура: -25°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)

Конфигурация: Low-Side  ·  Тип входа: Non-Inverting  ·  Время задержки: 1.0µs  ·  Ток пиковое значение: 500mA  ·  Число конфигураций: 8  ·  Число выходов: 8  ·  Напряжение питания: 5 V ~ 50 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 85°C  ·  Корпус: 18-SOIC (7.5мм ширина)

Конфигурация: High and Low Side, Synchronous  ·  Тип входа: Non-Inverting  ·  Время задержки: 49ns  ·  Ток пиковое значение: 3A  ·  Число конфигураций: 1  ·  Число выходов: 2  ·  Напряжение питания: 3.7 V ~ 20 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 105°C  ·  Корпус: 14-TSSOP Exposed Pad, 14-eTSSOP 14-HTSSOP