Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
A3941KLPTR-T | Allegro Microsystems Inc | IC MOSFET FULL BRDG AUTO 28TSSOP Конфигурация: H Bridge · Тип входа: PWM · Время задержки: 90ns · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 4 · Напряжение питания: 5.5 V ~ 50 V · Рабочая температура: -40°C ~ 150°C · Корпус: 28-TSSOP Exposed Pad, 28-eTSSOP, 28-HTSSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
LM5112MY/NOPB | National Semiconductor | IC MOSFET GATE DRIVER 7A 8-EMSOP Конфигурация: Low-Side · Тип входа: Inverting and Non-Inverting · Время задержки: 25ns · Ток пиковое значение: 7A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 1 · Напряжение питания: 3.5 V ~ 14 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 8-MSOP Exposed Pad, 8-HMSOP, 8-eMSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
LM5112MYX/NOPB | National Semiconductor | IC MOSFET GATE DRIVER 7A 8-MSOP Конфигурация: Low-Side · Тип входа: Inverting and Non-Inverting · Время задержки: 25ns · Ток пиковое значение: 7A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 1 · Напряжение питания: 3.5 V ~ 14 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 8-MSOP Exposed Pad, 8-HMSOP, 8-eMSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NCP5358MNTXG | ON Semiconductor | IC MOSFET GATE DRIVER DUAL | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NCP5359AMNTBG | ON Semiconductor | IC MOSFET GATE DVR DUAL 10-DFN | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NCP5359AMNR2G | ON Semiconductor | IC MOSFET GATE DVR DUAL 10-DFN | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NCP5359ADR2G | ON Semiconductor | IC MOSFET GATE DVR DUAL 8-SOIC | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
LM5112SD/NOPB | National Semiconductor | IC MOSFET GATE DVR TINY 7A 6-LLP Конфигурация: Low-Side · Тип входа: Inverting and Non-Inverting · Время задержки: 25ns · Ток пиковое значение: 7A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 1 · Напряжение питания: 3.5 V ~ 14 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 6-LLP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
LM5112SDX/NOPB | National Semiconductor | IC MOSFET GATE DVR TINY 7A 6-LLP Конфигурация: Low-Side · Тип входа: Inverting and Non-Inverting · Время задержки: 25ns · Ток пиковое значение: 7A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 1 · Напряжение питания: 3.5 V ~ 14 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 6-LLP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FAN5110MX | Fairchild Semiconductor | IC MOSFET HALF BRIDGE DVR 16SOIC Конфигурация: Half Bridge · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 35ns · Ток пиковое значение: 2A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 12В · Напряжение питания: 6.4 V ~ 13.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 85°C · Корпус: 16-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IXDN430MYI | IXYS | IC MOSFET/IGBT DRIVER TO-263 Конфигурация: Low-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 41ns · Ток пиковое значение: 30A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 1 · Напряжение питания: 8.5 V ~ 35 V · Рабочая температура: -55°C ~ 125°C · Корпус: D²Pak, TO-263 (5 leads + tab) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IR2308PBF | International Rectifier | IC MOSFET/IGBT DVR HV HS 8-DIP Конфигурация: High and Low Side, Independent · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 220ns · Ток пиковое значение: 97mA · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 600В · Напряжение питания: 10 V ~ 20 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 8-DIP (300 mil) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IR2308STRPBF | International Rectifier | IC MOSFET/IGBT DVR HV HS 8-SOIC Конфигурация: High and Low Side, Independent · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 220ns · Ток пиковое значение: 97mA · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 600В · Напряжение питания: 10 V ~ 20 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ISL2111ARTZ | Intersil | IC MSFT DVR HALF-BRG 100V 10TDFN Конфигурация: Half Bridge · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 38ns · Ток пиковое значение: 3A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 100V · Напряжение питания: 8 V ~ 14 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 10-TDFN | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ISL2111ARTZ-T | Intersil | IC MSFT DVR HALF-BRG 100V 10TDFN Конфигурация: Half Bridge · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 38ns · Ток пиковое значение: 3A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 100V · Напряжение питания: 8 V ~ 14 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 10-TDFN | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ISL2111AR4Z-T | Intersil | IC MSFT DVR HALF-BRG 100V 12-DFN Конфигурация: Half Bridge · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 38ns · Ток пиковое значение: 3A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 100V · Напряжение питания: 8 V ~ 14 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 12-DFN | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ISL2110AR4Z-T | Intersil | IC MSFT DVR HALF-BRG 100V 12-DFN Конфигурация: Half Bridge · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 38ns · Ток пиковое значение: 3A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 100V · Напряжение питания: 8 V ~ 14 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 12-DFN | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ISL2110AR4Z | Intersil | IC MSFT DVR HALF-BRG 100V 12-DFN Конфигурация: Half Bridge · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 38ns · Ток пиковое значение: 3A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 100V · Напряжение питания: 8 V ~ 14 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 12-DFN | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ISL2111AR4Z | Intersil | IC MSFT DVR HALF-BRG 100V 12-DFN Конфигурация: Half Bridge · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 38ns · Ток пиковое значение: 3A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 100V · Напряжение питания: 8 V ~ 14 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 12-DFN | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ISL2111ABZ | Intersil | IC MSFT DVR HALF-BRG 100V 8-SOIC Конфигурация: Half Bridge · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 38ns · Ток пиковое значение: 3A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 100V · Напряжение питания: 8 V ~ 14 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ISL2110ABZ | Intersil | IC MSFT DVR HALF-BRG 100V 8-SOIC Конфигурация: Half Bridge · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 38ns · Ток пиковое значение: 3A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 100V · Напряжение питания: 8 V ~ 14 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ISL2110ABZ-T | Intersil | IC MSFT DVR HALF-BRG 100V 8-SOIC Конфигурация: Half Bridge · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 38ns · Ток пиковое значение: 3A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 100V · Напряжение питания: 8 V ~ 14 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ISL2111ABZ-T | Intersil | IC MSFT DVR HALF-BRG 100V 8-SOIC Конфигурация: Half Bridge · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 38ns · Ток пиковое значение: 3A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 100V · Напряжение питания: 8 V ~ 14 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPS2834PWPR | Texas Instruments | IC NONINV SYN FET DRVR 14-HTSSOP Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 70ns · Ток пиковое значение: 2.4A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 28V · Напряжение питания: 4.5 V ~ 15 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 14-TSSOP Exposed Pad, 14-eTSSOP 14-HTSSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPS2834PWP | Texas Instruments | IC NONINV SYN FET DRVR 14-HTSSOP Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 70ns · Ток пиковое значение: 2.4A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 28V · Напряжение питания: 4.5 V ~ 15 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 14-TSSOP Exposed Pad, 14-eTSSOP 14-HTSSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |