Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
IR2112PBF | International Rectifier | IC MOSFET DVR HI/LO SIDE 14-DIP Конфигурация: High and Low Side, Independent · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 125ns · Ток пиковое значение: 250mA · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 600В · Напряжение питания: 10 V ~ 20 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 14-DIP (300 mil) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IR2113PBF | International Rectifier | IC MOSFET DVR HI/LO SIDE 14-DIP Конфигурация: High and Low Side, Independent · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 120ns · Ток пиковое значение: 2.5A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 600В · Напряжение питания: 10 V ~ 20 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 14-DIP (300 mil) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
LTC1255CN8 | Linear Technology | IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP Конфигурация: High-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 180µs · Число конфигураций: 2 · Число выходов: 2 · Напряжение питания: 9 V ~ 24 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-DIP (300 mil) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
LTC1255IN8#PBF | Linear Technology | IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP Конфигурация: High-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 180µs · Число конфигураций: 2 · Число выходов: 2 · Напряжение питания: 9 V ~ 24 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8-DIP (300 mil) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
LTC1255IN8 | Linear Technology | IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP Конфигурация: High-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 180µs · Число конфигураций: 2 · Число выходов: 2 · Напряжение питания: 9 V ~ 24 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8-DIP (300 mil) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
LTC1155IN8#PBF | Linear Technology | IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP Конфигурация: High-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 450µs · Число конфигураций: 2 · Число выходов: 2 · Напряжение питания: 4.5 V ~ 18 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8-DIP (300 mil) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
LTC1155IN8 | Linear Technology | IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP Конфигурация: High-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 450µs · Число конфигураций: 2 · Число выходов: 2 · Напряжение питания: 4.5 V ~ 18 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8-DIP (300 mil) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
LTC1255CN8#PBF | Linear Technology | IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP Конфигурация: High-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 180µs · Число конфигураций: 2 · Число выходов: 2 · Напряжение питания: 9 V ~ 24 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-DIP (300 mil) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
LTC1155CN8#PBF | Linear Technology | IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP Конфигурация: High-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 450µs · Число конфигураций: 2 · Число выходов: 2 · Напряжение питания: 4.5 V ~ 18 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-DIP (300 mil) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
LTC1155CN8 | Linear Technology | IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP Конфигурация: High-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 450µs · Число конфигураций: 2 · Число выходов: 2 · Напряжение питания: 4.5 V ~ 18 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-DIP (300 mil) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
LTC1155IS8 | Linear Technology | IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC Конфигурация: High-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 450µs · Число конфигураций: 2 · Число выходов: 2 · Напряжение питания: 4.5 V ~ 18 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
LTC1255CS8 | Linear Technology | IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC Конфигурация: High-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 180µs · Число конфигураций: 2 · Число выходов: 2 · Напряжение питания: 9 V ~ 24 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
LTC1155IS8#PBF | Linear Technology | IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC Конфигурация: High-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 450µs · Число конфигураций: 2 · Число выходов: 2 · Напряжение питания: 4.5 V ~ 18 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
LTC1255CS8#PBF | Linear Technology | IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC Конфигурация: High-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 180µs · Число конфигураций: 2 · Число выходов: 2 · Напряжение питания: 9 V ~ 24 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
LTC1155CS8#TRPBF | Linear Technology | IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC Конфигурация: High-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 450µs · Число конфигураций: 2 · Число выходов: 2 · Напряжение питания: 4.5 V ~ 18 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
LTC1255IS8#PBF | Linear Technology | IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC Конфигурация: High-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 180µs · Число конфигураций: 2 · Число выходов: 2 · Напряжение питания: 9 V ~ 24 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
LTC1255CS8#TRPBF | Linear Technology | IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC Конфигурация: High-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 180µs · Число конфигураций: 2 · Число выходов: 2 · Напряжение питания: 9 V ~ 24 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
LTC1155IS8#TRPBF | Linear Technology | IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC Конфигурация: High-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 450µs · Число конфигураций: 2 · Число выходов: 2 · Напряжение питания: 4.5 V ~ 18 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
LTC1155CS8#PBF | Linear Technology | IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC Конфигурация: High-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 450µs · Число конфигураций: 2 · Число выходов: 2 · Напряжение питания: 4.5 V ~ 18 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
LTC1255IS8#TRPBF | Linear Technology | IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC Конфигурация: High-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 180µs · Число конфигураций: 2 · Число выходов: 2 · Напряжение питания: 9 V ~ 24 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
LTC1255IS8 | Linear Technology | IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC Конфигурация: High-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 180µs · Число конфигураций: 2 · Число выходов: 2 · Напряжение питания: 9 V ~ 24 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
LTC1155CS8 | Linear Technology | IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC Конфигурация: High-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 450µs · Число конфигураций: 2 · Число выходов: 2 · Напряжение питания: 4.5 V ~ 18 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
LTC1156CN | Linear Technology | IC MOSFET DVR HI-SIDE QUAD 16DIP Конфигурация: High-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 450µs · Число конфигураций: 4 · Число выходов: 4 · Напряжение питания: 4.5 V ~ 18 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 16-DIP (300 mil) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
LTC1156CN#PBF | Linear Technology | IC MOSFET DVR HI-SIDE QUAD 16DIP Конфигурация: High-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 450µs · Число конфигураций: 4 · Число выходов: 4 · Напряжение питания: 4.5 V ~ 18 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 16-DIP (300 mil) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
LTC1156CSW#PBF | Linear Technology | IC MOSFET DVR HI-SIDE QUAD16SOIC Конфигурация: High-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 450µs · Число конфигураций: 4 · Число выходов: 4 · Напряжение питания: 4.5 V ~ 18 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 16-SOIC (7.5мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |