Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
BQ4016MC-70 | Texas Instruments | IC NVSRAM 8MBIT 70NS 36DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 8M (1M x 8) · Скорость: 70ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.75 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 36-DIP Module | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BQ4014MB-120 | Texas Instruments | IC NVSRAM 2MBIT 120NS 32DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 2M (256K x 8) · Скорость: 120ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.75 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 32-DIP Module | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BQ4013YMA-85N | Texas Instruments | IC NVSRAM 1MBIT 85NS 32DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 1M (128K x 8) · Скорость: 85ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 32-DIP Module | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BQ4011YMA-150 | Texas Instruments | IC NVSRAM 256KBIT 150NS 28DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 256K (32K x 8) · Скорость: 150ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 28-DIP Module (600 mil) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BQ4015LYMA-70N | Texas Instruments | IC NVSRAM 4MBIT 70NS 32DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 4M (512K x 8) · Скорость: 70ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 32-DIP Module | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BQ4010YMA-150 | Texas Instruments | IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 64K (8K x 8) · Скорость: 150ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 28-DIP Module (600 mil) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BQ4010YMA-85 | Texas Instruments | IC NVSRAM 64KBIT 85NS 28DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 64K (8K x 8) · Скорость: 85ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 28-DIP Module (600 mil) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BQ4010MA-85 | Texas Instruments | IC NVSRAM 64KBIT 85NS 28DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 64K (8K x 8) · Скорость: 85ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.75 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 28-DIP Module (600 mil) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BQ2022ADBZRG4 | Texas Instruments | IC OTP 1KBIT SOT23-3 Тип памяти: EPROMs · Тип памяти: OTP EPROM · Объем памяти: 1K (4 pages x 32 bytes) · Интерфейс подключения: 1-Wire Serial · Рабочая температура: -20°C ~ 70°C · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BQ4011LYMA-70N | Texas Instruments | IC NVSRAM 256KBIT 70NS 28DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 256K (32K x 8) · Скорость: 70ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 28-DIP Module (600 mil) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BQ4013YMA-120 | Texas Instruments | IC NVSRAM 1MBIT 120NS 32DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 1M (128K x 8) · Скорость: 120ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 32-DIP Module | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BQ4010LYMA-70N | Texas Instruments | IC NVSRAM 64KBIT 70NS 28DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 64K (8K x 8) · Скорость: 70ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 28-DIP Module (600 mil) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BQ4015MA-70 | Texas Instruments | IC NVSRAM 4MBIT 70NS 32DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 4M (512K x 8) · Скорость: 70ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.75 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 32-DIP Module | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BQ4014MB-85 | Texas Instruments | IC NVSRAM 2MBIT 85NS 32DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 2M (256K x 8) · Скорость: 85ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.75 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 32-DIP Module | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BQ4013LYMA-70N | Texas Instruments | IC NVSRAM 1MBIT 70NS 32DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 1M (128K x 8) · Скорость: 70ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 32-DIP Module | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TH58100FT | Toshiba | IC FLASH 1GBIT 50NS 48TSOP Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH - Nand · Объем памяти: 1G (128M x 8) · Скорость: 50ns · Интерфейс подключения: Последовательный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 48-TSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TC58DVM82A1FT | Toshiba | IC FLASH 256MBIT 50NS 48TSOP Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH - Nand · Объем памяти: 256M (32M x 8) · Скорость: 50ns · Интерфейс подключения: Последовательный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 48-TSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TC51WHM516AXBN70 | Toshiba | IC PSRAM 32MBIT 70NS 54TFBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: PSRAM · Объем памяти: 32M (2Mx16) · Скорость: 70ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.6 V ~ 3.3 V · Рабочая температура: -25°C ~ 85°C · Корпус: 54-TFBGA | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TC58V128FT | Toshiba | IC FLASH 128MBIT 50NS 44TSOP Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH - Nand · Объем памяти: 128M (16M x 8) · Скорость: 50ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 44-TSOP II | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TC58FVB016FT-85 | Toshiba | IC FLASH 16MBIT 85NS 40TSOP Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH · Объем памяти: 16M (2M x 8) · Скорость: 85ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 40-TSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TC58FVM7T2ATG-65 | Toshiba | IC FLASH 128MBIT 65NS 56TSOP Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH - Nor · Объем памяти: 128M (16Mx8, 8Mx16) · Скорость: 65ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 56-TSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TC55VCM316BTGN55LA | Toshiba | IC SRAM 8MBIT 55NS 48TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM · Объем памяти: 8M (512K x 16) · Скорость: 55ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 48-TSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TC55VBM316AFTN55 | Toshiba | IC SRAM 8MBIT 55NS 48TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM · Объем памяти: 8M (512K x 16) · Скорость: 55ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 48-TSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TC55VEM416AXGN55 | Toshiba | IC SRAM 16MBIT 55NS 48BGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM · Объем памяти: 16M (1M x 16) · Скорость: 55ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 48-BGA | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TC55NEM216ASGV70LA | Toshiba | IC SRAM 4MBIT 70NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM · Объем памяти: 4M (256K x 16) · Скорость: 70ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-TSOP II | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |