Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Интегральные микросхемы  ·  Операционные, буферные усилители

 
TL081CN

TL081CN — IC AMP J-FET SINGLE OP 8 DIP

ПроизводительSTMicroelectronics
Тип усилителяJ-FET
Число Каналов1
Скорость нарастания выходного напряжения16 V/µs
Полоса пропускания4MHz
Ток - входного смещения20pA
Напряжение -3000µV
Ток выходной1.4mA
Ток выходной / канал40mA
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)6 V ~ 36 V, ±3 V ~ 18 V
Рабочая температура0°C ~ 70°C
Корпус8-DIP (300 mil)
Встречается под наим.497-2209-5
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
TL081ACNTL081ACNSTMicroelectronicsIC OP AMP JFET SINGLE GP 8-DIP
Тип усилителя: J-FET  ·  Число Каналов: 1  ·  Скорость нарастания выходного напряжения: 16 V/µs  ·  Полоса пропускания: 4MHz  ·  Ток - входного смещения: 20pA  ·  Напряжение -: 3000µV  ·  Ток выходной: 1.4mA  ·  Ток выходной / канал: 40mA  ·  Напряжение-выходное, Single/Dual (±): 6 V ~ 36 V, ±3 V ~ 18 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 8-DIP (300 mil)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
TL071ACNTL071ACNSTMicroelectronicsIC OP AMP JFET SGL LNOISE 14-DIP
Тип усилителя: J-FET  ·  Число Каналов: 1  ·  Скорость нарастания выходного напряжения: 16 V/µs  ·  Полоса пропускания: 4MHz  ·  Ток - входного смещения: 20pA  ·  Напряжение -: 3000µV  ·  Ток выходной: 1.4mA  ·  Ток выходной / канал: 40mA  ·  Напряжение-выходное, Single/Dual (±): 6 V ~ 36 V, ±3 V ~ 18 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 8-DIP (300 mil)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
TL071CNTL071CNSTMicroelectronicsIC OPAMP J-FET SNGL LN 8-DIP
Тип усилителя: J-FET  ·  Число Каналов: 1  ·  Скорость нарастания выходного напряжения: 16 V/µs  ·  Полоса пропускания: 4MHz  ·  Ток - входного смещения: 20pA  ·  Напряжение -: 3000µV  ·  Ток выходной: 1.4mA  ·  Ток выходной / канал: 40mA  ·  Напряжение-выходное, Single/Dual (±): 6 V ~ 36 V, ±3 V ~ 18 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 8-DIP (300 mil)
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках

Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
TL071INTL071INSTMicroelectronicsIC OP AMP JFET SGL LNOISE 14-DIP
Тип усилителя: J-FET  ·  Число Каналов: 1  ·  Скорость нарастания выходного напряжения: 16 V/µs  ·  Полоса пропускания: 4MHz  ·  Ток - входного смещения: 20pA  ·  Напряжение -: 3000µV  ·  Ток выходной: 1.4mA  ·  Ток выходной / канал: 40mA  ·  Напряжение-выходное, Single/Dual (±): 6 V ~ 36 V, ±3 V ~ 18 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 105°C  ·  Корпус: 8-DIP (300 mil)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
TL071CDTL071CDSTMicroelectronicsIC OPAMP JFET SGL LO NOISE 8SOIC
Тип усилителя: J-FET  ·  Число Каналов: 1  ·  Скорость нарастания выходного напряжения: 16 V/µs  ·  Полоса пропускания: 4MHz  ·  Ток - входного смещения: 20pA  ·  Напряжение -: 3000µV  ·  Ток выходной: 1.4mA  ·  Ток выходной / канал: 40mA  ·  Напряжение-выходное, Single/Dual (±): 6 V ~ 36 V, ±3 V ~ 18 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
TL081ACDTTL081ACDTSTMicroelectronicsIC AMP J-FET SINGLE OP 8 SOIC
Тип усилителя: J-FET  ·  Число Каналов: 1  ·  Скорость нарастания выходного напряжения: 16 V/µs  ·  Полоса пропускания: 4MHz  ·  Ток - входного смещения: 20pA  ·  Напряжение -: 3000µV  ·  Ток выходной: 1.4mA  ·  Ток выходной / канал: 40mA  ·  Напряжение-выходное, Single/Dual (±): 6 V ~ 36 V, ±3 V ~ 18 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
TL071CDTTL071CDTSTMicroelectronicsIC OPAMP SGL JFET LO NOISE 8SOIC
Тип усилителя: J-FET  ·  Число Каналов: 1  ·  Скорость нарастания выходного напряжения: 16 V/µs  ·  Полоса пропускания: 4MHz  ·  Ток - входного смещения: 20pA  ·  Напряжение -: 3000µV  ·  Ток выходной: 1.4mA  ·  Ток выходной / канал: 40mA  ·  Напряжение-выходное, Single/Dual (±): 6 V ~ 36 V, ±3 V ~ 18 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
TL071ACDTL071ACDSTMicroelectronicsIC OP AMP JFET SGL LNOISE 8-SOIC
Тип усилителя: J-FET  ·  Число Каналов: 1  ·  Скорость нарастания выходного напряжения: 16 V/µs  ·  Полоса пропускания: 4MHz  ·  Ток - входного смещения: 20pA  ·  Напряжение -: 3000µV  ·  Ток выходной: 1.4mA  ·  Ток выходной / канал: 40mA  ·  Напряжение-выходное, Single/Dual (±): 6 V ~ 36 V, ±3 V ~ 18 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
TL082ACNTL082ACNSTMicroelectronicsIC OP AMP JFET DUAL GP 8-DIP
Тип усилителя: J-FET  ·  Число Каналов: 2  ·  Скорость нарастания выходного напряжения: 16 V/µs  ·  Полоса пропускания: 4MHz  ·  Ток - входного смещения: 20pA  ·  Напряжение -: 3000µV  ·  Ток выходной: 1.4mA  ·  Ток выходной / канал: 40mA  ·  Напряжение-выходное, Single/Dual (±): 6 V ~ 36 V, ±3 V ~ 18 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 8-DIP (300 mil)
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
TL071ACDTTL071ACDTSTMicroelectronicsIC OP AMP JFET SGL LNOISE 8-SOIC
Тип усилителя: J-FET  ·  Число Каналов: 1  ·  Скорость нарастания выходного напряжения: 16 V/µs  ·  Полоса пропускания: 4MHz  ·  Ток - входного смещения: 20pA  ·  Напряжение -: 3000µV  ·  Ток выходной: 1.4mA  ·  Ток выходной / канал: 40mA  ·  Напряжение-выходное, Single/Dual (±): 6 V ~ 36 V, ±3 V ~ 18 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
TL082CNTL082CNSTMicroelectronicsIC AMP J-FET DUAL OP 8 DIP
Тип усилителя: J-FET  ·  Число Каналов: 2  ·  Скорость нарастания выходного напряжения: 16 V/µs  ·  Полоса пропускания: 4MHz  ·  Ток - входного смещения: 20pA  ·  Напряжение -: 3000µV  ·  Ток выходной: 1.4mA  ·  Ток выходной / канал: 40mA  ·  Напряжение-выходное, Single/Dual (±): 6 V ~ 36 V, ±3 V ~ 18 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 8-DIP (300 mil)
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
TL081CDTTL081CDTSTMicroelectronicsIC AMP J-FET SINGLE OP 8 SOIC
Тип усилителя: J-FET  ·  Число Каналов: 1  ·  Скорость нарастания выходного напряжения: 16 V/µs  ·  Полоса пропускания: 4MHz  ·  Ток - входного смещения: 20pA  ·  Напряжение -: 3000µV  ·  Ток выходной: 1.4mA  ·  Ток выходной / канал: 40mA  ·  Напряжение-выходное, Single/Dual (±): 6 V ~ 36 V, ±3 V ~ 18 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
TL081INTL081INSTMicroelectronicsIC OP AMP JFET SINGLE GP 8-DIP
Тип усилителя: J-FET  ·  Число Каналов: 1  ·  Скорость нарастания выходного напряжения: 16 V/µs  ·  Полоса пропускания: 4MHz  ·  Ток - входного смещения: 20pA  ·  Напряжение -: 3000µV  ·  Ток выходной: 1.4mA  ·  Ток выходной / канал: 40mA  ·  Напряжение-выходное, Single/Dual (±): 6 V ~ 36 V, ±3 V ~ 18 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 105°C  ·  Корпус: 8-DIP (300 mil)
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
TL081CDTL081CDSTMicroelectronicsIC OP AMP JFET SINGLE GP 8-SOIC
Тип усилителя: J-FET  ·  Число Каналов: 1  ·  Скорость нарастания выходного напряжения: 16 V/µs  ·  Полоса пропускания: 4MHz  ·  Ток - входного смещения: 20pA  ·  Напряжение -: 3000µV  ·  Ток выходной: 1.4mA  ·  Ток выходной / канал: 40mA  ·  Напряжение-выходное, Single/Dual (±): 6 V ~ 36 V, ±3 V ~ 18 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
LF351NLF351NSTMicroelectronicsIC OPAMP J-FET SINGLE 8-DIP
Тип усилителя: J-FET  ·  Число Каналов: 1  ·  Скорость нарастания выходного напряжения: 16 V/µs  ·  Полоса пропускания: 4MHz  ·  Ток - входного смещения: 20pA  ·  Напряжение -: 3000µV  ·  Ток выходной: 1.4mA  ·  Ток выходной / канал: 40mA  ·  Напряжение-выходное, Single/Dual (±): 6 V ~ 32 V, ±3 V ~ 16 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 8-DIP (300 mil)
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
TL072ACNTL072ACNSTMicroelectronicsIC OP AMP JFET DUAL LNOISE 8-DIP
Тип усилителя: J-FET  ·  Число Каналов: 2  ·  Скорость нарастания выходного напряжения: 16 V/µs  ·  Полоса пропускания: 4MHz  ·  Ток - входного смещения: 20pA  ·  Напряжение -: 3000µV  ·  Ток выходной: 1.4mA  ·  Ток выходной / канал: 40mA  ·  Напряжение-выходное, Single/Dual (±): 6 V ~ 36 V, ±3 V ~ 18 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 8-DIP (300 mil)
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
TL081ACDTL081ACDSTMicroelectronicsIC OP AMP JFET SINGLE GP 8-SOIC
Тип усилителя: J-FET  ·  Число Каналов: 1  ·  Скорость нарастания выходного напряжения: 16 V/µs  ·  Полоса пропускания: 4MHz  ·  Ток - входного смещения: 20pA  ·  Напряжение -: 3000µV  ·  Ток выходной: 1.4mA  ·  Ток выходной / канал: 40mA  ·  Напряжение-выходное, Single/Dual (±): 6 V ~ 36 V, ±3 V ~ 18 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
TL072CNTL072CNSTMicroelectronicsIC AMP LN J-FET DUAL OP 8 DIP
Тип усилителя: J-FET  ·  Число Каналов: 2  ·  Скорость нарастания выходного напряжения: 16 V/µs  ·  Полоса пропускания: 4MHz  ·  Ток - входного смещения: 20pA  ·  Напряжение -: 3000µV  ·  Ток выходной: 1.4mA  ·  Ток выходной / канал: 40mA  ·  Напряжение-выходное, Single/Dual (±): 6 V ~ 36 V, ±3 V ~ 18 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 8-DIP (300 mil)
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «TL081CN» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте