Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Интегральные микросхемы  ·  Операционные, буферные усилители

 
LM358DG

LM358DG — IC OPAMP DUAL LOW POWER 8-SOIC

ПроизводительON Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Тип усилителяGeneral Purpose
Число Каналов2
Скорость нарастания выходного напряжения0.6 V/µs
Полоса пропускания1MHz
Ток - входного смещения45nA
Напряжение -2000µV
Ток выходной1.5mA
Ток выходной / канал40mA
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)3 V ~ 32 V, ±1.5 V ~ 16 V
Рабочая температура0°C ~ 70°C
Корпус8-SOIC (3.9мм ширина)
Встречается под наим.LM358DG-ND, LM358DGOS
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
LM358ADR2GLM358ADR2GON SemiconductorIC OPAMP DUAL MICROPOWER 8-SOIC
Тип усилителя: General Purpose  ·  Число Каналов: 2  ·  Скорость нарастания выходного напряжения: 0.6 V/µs  ·  Полоса пропускания: 1MHz  ·  Ток - входного смещения: 45nA  ·  Напряжение -: 2000µV  ·  Ток выходной: 1.5mA  ·  Ток выходной / канал: 40mA  ·  Напряжение-выходное, Single/Dual (±): 3 V ~ 32 V, ±1.5 V ~ 16 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
LM358DR2GLM358DR2GON SemiconductorIC OPAMP DUAL LOW POWER 8SOIC
Тип усилителя: General Purpose  ·  Число Каналов: 2  ·  Скорость нарастания выходного напряжения: 0.6 V/µs  ·  Полоса пропускания: 1MHz  ·  Ток - входного смещения: 45nA  ·  Напряжение -: 2000µV  ·  Ток выходной: 1.5mA  ·  Ток выходной / канал: 40mA  ·  Напряжение-выходное, Single/Dual (±): 3 V ~ 32 V, ±1.5 V ~ 16 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
LM358DR2LM358DR2ON SemiconductorIC OPAMP DUAL LOW POWER 8SOIC
Тип усилителя: General Purpose  ·  Число Каналов: 2  ·  Скорость нарастания выходного напряжения: 0.6 V/µs  ·  Полоса пропускания: 1MHz  ·  Ток - входного смещения: 45nA  ·  Напряжение -: 2000µV  ·  Ток выходной: 1.5mA  ·  Ток выходной / канал: 40mA  ·  Напряжение-выходное, Single/Dual (±): 3 V ~ 32 V, ±1.5 V ~ 16 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках

Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
LM358DMR2GON SemiconductorIC OPAMP DUAL LOW POWER MICRO-8
Тип усилителя: General Purpose  ·  Число Каналов: 2  ·  Скорость нарастания выходного напряжения: 0.6 V/µs  ·  Полоса пропускания: 1MHz  ·  Ток - входного смещения: 45nA  ·  Напряжение -: 2000µV  ·  Ток выходной: 1.5mA  ·  Ток выходной / канал: 40mA  ·  Напряжение-выходное, Single/Dual (±): 3 V ~ 32 V, ±1.5 V ~ 16 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP,
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
NCV2904DR2NCV2904DR2ON SemiconductorIC OPAMP DUAL SGL SUPP LP 8SOIC
Тип усилителя: General Purpose  ·  Число Каналов: 2  ·  Скорость нарастания выходного напряжения: 0.6 V/µs  ·  Полоса пропускания: 1MHz  ·  Ток - входного смещения: 45nA  ·  Напряжение -: 2000µV  ·  Ток выходной: 1.5mA  ·  Ток выходной / канал: 40mA  ·  Напряжение-выходное, Single/Dual (±): 3 V ~ 32 V, ±1.5 V ~ 16 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
LM358DMR2ON SemiconductorIC OPAMP DUAL LOW POWER MICRO-8
Тип усилителя: General Purpose  ·  Число Каналов: 2  ·  Скорость нарастания выходного напряжения: 0.6 V/µs  ·  Полоса пропускания: 1MHz  ·  Ток - входного смещения: 45nA  ·  Напряжение -: 2000µV  ·  Ток выходной: 1.5mA  ·  Ток выходной / канал: 40mA  ·  Напряжение-выходное, Single/Dual (±): 3 V ~ 32 V, ±1.5 V ~ 16 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP,
Доп. информация
Искать в поставщиках
LM258DR2LM258DR2ON SemiconductorIC OPAMP DUAL LOW POWER 8SOIC
Тип усилителя: General Purpose  ·  Число Каналов: 2  ·  Скорость нарастания выходного напряжения: 0.6 V/µs  ·  Полоса пропускания: 1MHz  ·  Ток - входного смещения: 45nA  ·  Напряжение -: 2000µV  ·  Ток выходной: 1.5mA  ·  Ток выходной / канал: 40mA  ·  Напряжение-выходное, Single/Dual (±): 3 V ~ 32 V, ±1.5 V ~ 16 V  ·  Рабочая температура: -25°C ~ 85°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
LM2904VDR2LM2904VDR2ON SemiconductorIC OPAMP DUAL LOW POWER 8SOIC
Тип усилителя: General Purpose  ·  Число Каналов: 2  ·  Скорость нарастания выходного напряжения: 0.6 V/µs  ·  Полоса пропускания: 1MHz  ·  Ток - входного смещения: 45nA  ·  Напряжение -: 2000µV  ·  Ток выходной: 1.5mA  ·  Ток выходной / канал: 40mA  ·  Напряжение-выходное, Single/Dual (±): 3 V ~ 32 V, ±1.5 V ~ 16 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
LM358NON SemiconductorIC OPAMP DUAL LOW POWER 8DIP
Тип усилителя: General Purpose  ·  Число Каналов: 2  ·  Скорость нарастания выходного напряжения: 0.6 V/µs  ·  Полоса пропускания: 1MHz  ·  Ток - входного смещения: 45nA  ·  Напряжение -: 2000µV  ·  Ток выходной: 1.5mA  ·  Ток выходной / канал: 40mA  ·  Напряжение-выходное, Single/Dual (±): 3 V ~ 32 V, ±1.5 V ~ 16 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 8-DIP (300 mil)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
LM2904DGLM2904DGON SemiconductorIC OPAMP DUAL LOW POWER 8-SOIC
Тип усилителя: General Purpose  ·  Число Каналов: 2  ·  Скорость нарастания выходного напряжения: 0.6 V/µs  ·  Полоса пропускания: 1MHz  ·  Ток - входного смещения: 45nA  ·  Напряжение -: 2000µV  ·  Ток выходной: 1.5mA  ·  Ток выходной / канал: 40mA  ·  Напряжение-выходное, Single/Dual (±): 3 V ~ 32 V, ±1.5 V ~ 16 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 105°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
LM258DGLM258DGON SemiconductorIC OP AMP DUAL LOW POWER 8-SOIC
Тип усилителя: General Purpose  ·  Число Каналов: 2  ·  Скорость нарастания выходного напряжения: 0.6 V/µs  ·  Полоса пропускания: 1MHz  ·  Ток - входного смещения: 45nA  ·  Напряжение -: 2000µV  ·  Ток выходной: 1.5mA  ·  Ток выходной / канал: 40mA  ·  Напряжение-выходное, Single/Dual (±): 3 V ~ 32 V, ±1.5 V ~ 16 V  ·  Рабочая температура: -25°C ~ 85°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
NCV2904DR2GNCV2904DR2GON SemiconductorIC OPAMP DUAL SGL SUPP LP 8SOIC
Тип усилителя: General Purpose  ·  Число Каналов: 2  ·  Скорость нарастания выходного напряжения: 0.6 V/µs  ·  Полоса пропускания: 1MHz  ·  Ток - входного смещения: 45nA  ·  Напряжение -: 2000µV  ·  Ток выходной: 1.5mA  ·  Ток выходной / канал: 40mA  ·  Напряжение-выходное, Single/Dual (±): 3 V ~ 32 V, ±1.5 V ~ 16 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
LM2904VDGLM2904VDGON SemiconductorIC OPAMP DUAL LOW POWER 8-SOIC
Тип усилителя: General Purpose  ·  Число Каналов: 2  ·  Скорость нарастания выходного напряжения: 0.6 V/µs  ·  Полоса пропускания: 1MHz  ·  Ток - входного смещения: 45nA  ·  Напряжение -: 2000µV  ·  Ток выходной: 1.5mA  ·  Ток выходной / канал: 40mA  ·  Напряжение-выходное, Single/Dual (±): 3 V ~ 32 V, ±1.5 V ~ 16 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
LM2904DR2LM2904DR2ON SemiconductorIC OPAMP DUAL LOW POWER 8SOIC
Тип усилителя: General Purpose  ·  Число Каналов: 2  ·  Скорость нарастания выходного напряжения: 0.6 V/µs  ·  Полоса пропускания: 1MHz  ·  Ток - входного смещения: 45nA  ·  Напряжение -: 2000µV  ·  Ток выходной: 1.5mA  ·  Ток выходной / канал: 40mA  ·  Напряжение-выходное, Single/Dual (±): 3 V ~ 32 V, ±1.5 V ~ 16 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 105°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
LM2904VDLM2904VDON SemiconductorIC OPAMP DUAL LOW POWER 8-SOIC
Тип усилителя: General Purpose  ·  Число Каналов: 2  ·  Скорость нарастания выходного напряжения: 0.6 V/µs  ·  Полоса пропускания: 1MHz  ·  Ток - входного смещения: 45nA  ·  Напряжение -: 2000µV  ·  Ток выходной: 1.5mA  ·  Ток выходной / канал: 40mA  ·  Напряжение-выходное, Single/Dual (±): 3 V ~ 32 V, ±1.5 V ~ 16 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
LM2904VDR2GON SemiconductorIC OPAMP DUAL LOW POWER 8SOIC
Тип усилителя: General Purpose  ·  Число Каналов: 2  ·  Скорость нарастания выходного напряжения: 0.6 V/µs  ·  Полоса пропускания: 1MHz  ·  Ток - входного смещения: 45nA  ·  Напряжение -: 2000µV  ·  Ток выходной: 1.5mA  ·  Ток выходной / канал: 40mA  ·  Напряжение-выходное, Single/Dual (±): 3 V ~ 32 V, ±1.5 V ~ 16 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
LM358NGLM358NGON SemiconductorIC OPAMP DUAL LOW POWER 8DIP
Тип усилителя: General Purpose  ·  Число Каналов: 2  ·  Скорость нарастания выходного напряжения: 0.6 V/µs  ·  Полоса пропускания: 1MHz  ·  Ток - входного смещения: 45nA  ·  Напряжение -: 2000µV  ·  Ток выходной: 1.5mA  ·  Ток выходной / канал: 40mA  ·  Напряжение-выходное, Single/Dual (±): 3 V ~ 32 V, ±1.5 V ~ 16 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  ·  Корпус: 8-DIP (300 mil)
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
LM258DR2GLM258DR2GON SemiconductorIC OPAMP DUAL LOW POWER 8SOIC
Тип усилителя: General Purpose  ·  Число Каналов: 2  ·  Скорость нарастания выходного напряжения: 0.6 V/µs  ·  Полоса пропускания: 1MHz  ·  Ток - входного смещения: 45nA  ·  Напряжение -: 2000µV  ·  Ток выходной: 1.5mA  ·  Ток выходной / канал: 40mA  ·  Напряжение-выходное, Single/Dual (±): 3 V ~ 32 V, ±1.5 V ~ 16 V  ·  Рабочая температура: -25°C ~ 85°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
LM2904DR2GLM2904DR2GON SemiconductorIC OPAMP DUAL LOW POWER 8SOIC
Тип усилителя: General Purpose  ·  Число Каналов: 2  ·  Скорость нарастания выходного напряжения: 0.6 V/µs  ·  Полоса пропускания: 1MHz  ·  Ток - входного смещения: 45nA  ·  Напряжение -: 2000µV  ·  Ток выходной: 1.5mA  ·  Ток выходной / канал: 40mA  ·  Напряжение-выходное, Single/Dual (±): 3 V ~ 32 V, ±1.5 V ~ 16 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 105°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «LM358DG» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте