Характеристики

IRF6608TR1 — MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET

Производитель: International Rectifier  •  Серия: HEXFET®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 13A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 30V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 4.5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2120pF @ 15V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 2.1W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Архив документации

Поставщики «IRF6608TR1»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
LIXINC ELECTRONICS LIMITED, shenzhen
(+86) 75583998536, sales@lixincchip.com
IRF6608TR1Infineon Technologies6699
IRF6608TR1Infineon Technologies6699
BETTLINK ELECTRONIC LIMITED, HongKong
(852) 8191 1802, info@bettlink.com
IRF6608TR1 (MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET Подробнее)Infineon Technologies1.456$7111
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080(10), Факс: (86755) 830080(908), sales5@icseek.net
IRF6608TR1 (Оригинальный и наличный и новый)IR5246
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
IRF6608TR1 (MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET Подробнее)Infineon Technologies158525
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED, Changsha
(731) 85241908, Факс: (731) 85241908, claire2022@hkicstock.com
IRF6608TR1 (год: 0529+)IR5344
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd., Shenzhen
(86) 18819033453, vladimir@kingyiku.com
IRF6608TR1 (22+; год: 11689)IOR
АО "Контест", Москва
(495) 150-88-73, Факс: (495) 150-88-73, zakaz@kontest.ru
IRF6608TR1 (Подробнее)INTERNATIONAL RECTIFIER
Acme Chip Technology Co.,Limited, shenzhen
(86) 18902315121, sale@acme-chip.com
IRF6608TR1 (MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET)Infineon Technologies12919
СИНЕРГИЯ-ДИСТРИБУЦИЯ, Санкт-Петербург
(812) 409-49-13, sales@gsupply.ru
IRF6608TR1 (MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET)Infineon Technologies
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
IRF6608TR1от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
IRF6608TR1от 7 дней