Характеристики
APT150GT120JR
— IGBT 1200V 170A 830W SOT227
Дискретные полупроводники
»
IGBT одиночные
Производитель: Microsemi-PPG
•
Вредные вещества:
RoHS
Без свинца
•
Серия: Thunderbolt IGBT®
•
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V
•
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A
•
Ток коллектора (макс): 170A
•
Мощность макcимальная: 830W
•
Тип входа: Стандарт
•
Тип монтажа: Chassis Mount
•
Корпус: ISOTOP
•
Встречается под наим.: APT150GT120JRMI
Архив документации
APT150GT120JR_B.pdf
на сайте microsemi.com
Поставщики «APT150GT120JR»
Все
Отечественные
Зарубежные
Наименование
Производитель
Цена
Склад
АО "Контест"
APT150GT120JR
(IGBT 1200V 170A 830W SOT227
Подробнее
)
Microsemi Power Products Group
–
–
СИНЕРГИЯ-ДИСТРИБУЦИЯ
APT150GT120JR
(IGBT 1200V 170A 830W SOT227)
Microsemi Corporation
71948.79 р. | м. опт: 67123.63 р. | опт: 64317.02 р.
7
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited
APT150GT120JR
(yпаковка: SOT-227; год: 22+)
Microsemi
–
55000
СИНЕРГИЯ-ДИСТРИБУЦИЯ
APT150GT120JR
(IGBT MOD 1200V 170A 830W ISOTOP)
Microchip Technology
–
7
Acme Chip Technology Co.,Limited
APT150GT120JR
(IGBT MOD 1200V 170A 830W ISOTOP)
Microchip Technology
69$
8961
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd
APT150GT120JR
(
Подробнее
)
Microchip Technology
63.303$
35000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
APT150GT120JR
(IGBT MOD 1200V 170A 830W ISOTOP
Подробнее
)
Microchip Technology
–
176520
Icseek Global Limited
APT150GT120JR
(Оригинальный и наличный и новый)
MICROCHIP
–
9853
Shenzhen Boshengyuan Technology Co., Ltd.
APT150GT120JR
(newOriginal Stock; yпаковка: N/A)
APT
–
89
Shenzhen Boshengyuan Technology Co., Ltd.
APT150GT120JR
(newOriginal Stock; yпаковка: N/A)
APT
–
701
ООО "АСПЕКТ"
APT150GT120JR
–
–
от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"
APT150GT120JR
–
–
от 7 дней
Shenzhen Botaike Technology Co., Ltd.
APT150GT120JR
(yпаковка: MODULE; год: 24+)
–
–
3324
Shenzhen Botaike Technology Co., Ltd.
APT150GT120JR
(yпаковка: MODULE; год: 24+)
–
–
3324