Войти Регистрация |
|
|
||||
Макро Групп → SiC MOSFET 1200 В от Global Power TechnologyКомпания Global Power Technology выпустила SiC МОП-транзистор 1200 В 80 мОм 42,9 А в корпусе TO-247-4 – G1M080120N. Компания Global Power Technology является производителем широкой линейки диодов Шоттки на основе карбида кремния (SiC) и IGBT транзисторов.Основные параметры G1M080120N: - напряжение сток-исток: 1200 В - ток (при 25°C): 42,9 A - Rds(On): 80 мОм - напряжение затвор-исток: -3/+20 В - тип корпуса: TO-247-4 - суммарный заряд затвора: 86 нКл - максимальная температура перехода: 175 °C - выходная ёмкость: 141 пФ - рассеиваемая мощность: 247 Вт Применение транзисторов: - зарядные устройства электромобилей - инверторы солнечных батарей - импульсные источники питания - управление приводом - ИБП Преимущества G1M080120N: - повышает эффективность системы с меньшими потерями на переключение и проводимость - позволяет работать на высокой частоте переключения - улучшает плотность мощности на уровне системы - уменьшает размер системы, вес и упрощает охлаждение Компания Макро Групп является поставщиком продукции Global Power Technology в России. Источник: Макро Групп • Подробнее: https://macrogroup.ru/material...echnology/
|
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Регистрация • Реклама на сайте |