IXDN55N120 IXYS High Voltage IGBT with optional Diode Документация и описания электронных компонентов

Маркировка	IXDN55N120
Производитель	IXYS Corporation (www.ixys.com)
Комментарий	High Voltage IGBT with optional Diode
Функционал	IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) (IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors))

Размер файла	Страниц: 4, 75.19Кб
Скачать файл	Оригинальный PDF Архив WinZIP
Предпросмотр	HTML страница

В этом документе:

IXDN55N120D1

Посмотреть datasheet на сайте производителя

Электронный компонент «IXDN55N120»