IRG4RC10KD IRF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE (Vces=600V, Vce (on) typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A) Документация и описания электронных компонентов

Маркировка	IRG4RC10KD
Производитель	International Rectifier (www.irf.com)
Комментарий	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE (Vces=600V, Vce (on) typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
Функционал	IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) (IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors))

Размер файла	Страниц: 10, 190.9Кб
Скачать файл	Оригинальный PDF Архив WinZIP
Предпросмотр	HTML страница

Посмотреть datasheet на сайте производителя

Электронный компонент «IRG4RC10KD»