Производитель: Fairchild Semiconductor  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA  •  Ток коллектора (макс): 100mA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 10V  •  Мощность макcимальная: 625mW  •  Тип транзистора: PNP  •  Тип монтажа: Through Hole  •  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226