Характеристики

LN660000R — INFRARED LIGHT EMITTING DIODE

Производитель: Panasonic - SSG  •  Ток - DC: 100mA  •  Интенсивность облучения (Ie) Min @ If: 3.5mW/sr @ 20mA  •  Длина волны: 950nm  •  Напряжение - (Vf): 1.3V  •  Угол обзора: 50°  •  Ориентация: Top View  •  Тип монтажа: Through Hole  •  Корпус: T 1 3/4  •  Встречается под наим.: LN66, LN66-ND, LN66Q, LN66R
Архив документации

Поставщики «LN660000R»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
АО "Контест", Москва
(495) 150-88-73, Факс: (495) 150-88-73, zakaz@kontest.ru
LN660000R (INFRARED LIGHT EMITTING DIODE Подробнее)Panasonic - SSG––
Shenzhen Augswan Electronics Co., LTD., shenzhen
(86) 17727878850, contact@augswan.com
LN660000R (Emitter Ir 950NM 100MA T 1 3/4)Panasonic–4762
SHENZHEN SHENGYU ELECTRONICS TECHNOLOGY LIMITED, shenzhen
(86) 18038052216, cary@shengyuic.com
LN660000R (Emitter Ir 950NM 100MA T 1 3/4)Panasonic–4756
Acme Chip Technology Co.,Limited, shenzhen
(86) 18902315121, sale@acme-chip.com
LN660000R (Emitter Ir 950NM 100MA T 1 3/4)Panasonic–3924
СИНЕРГИЯ-ДИСТРИБУЦИЯ, Санкт-Петербург
(812) 409-49-13, sales@gsupply.ru
LN660000R (EMITTER IR 950NM 100MA T 1 3/4)Panasonic Electronic Components––
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
LN660000R––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
LN660000R––от 7 дней
CHIP DIGGER LIMITED, shenzhen
(86) 13422897696, info@chipdigger.com
LN660000R (EMITTER IR 950NM 100MA T 1 3/4)Panasonic Electronic Components–15289