Характеристики

L14N1 — DETECTOR/TRANSISTOR PHOTO TO-18

Производитель: Fairchild Optoelectronics Grou  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  •  Ток темноты (макс): 100nA  •  Длина волны: 880nm  •  Угол обзора: 80°  •  Мощность макcимальная: 300mW  •  Тип монтажа: Through Hole  •  Ориентация: Top View  •  Корпус: TO-18  •  Встречается под наим.: L14N1GE, L14N1QT, L14N1QT-ND
Архив документации

Поставщики «L14N1»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080（10）, Факс: (86755) 830080（908）, sales5@icseek.net
L14N1 (Оригинальный и наличный и новый)FAIRCHILD–5530
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
L14N1 (PHOTO TRANSISTOR, 940NM, 0.05A Подробнее)Fairchild Semiconductor–22541
SHENZHEN SHENGYU ELECTRONICS TECHNOLOGY LIMITED, shenzhen
(86) 18038052216, cary@shengyuic.com
L14N1 (SENSOR PHOTO 880NM TOP TO206AA)onsemi–6725
Shenzhen Augswan Electronics Co., LTD., shenzhen
(86) 17727878850, contact@augswan.com
L14N1 (SENSOR PHOTO 880NM TOP TO206AA)onsemi–6559
Acme Chip Technology Co.,Limited, shenzhen
(86) 18902315121, sale@acme-chip.com
L14N1 (SENSOR PHOTO 880NM TOP TO206AA)onsemi–7726
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
L14N1––от 7 дней
L14N1_Q––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
L14N1––от 7 дней
L14N1_Q––от 7 дней
CHIP DIGGER LIMITED, shenzhen
(86) 13422897696, info@chipdigger.com
L14N1 (SENSOR PHOTO 880NM TOP TO206AA)onsemi–7517