Характеристики

HGTD1N120BNS9A — IGBT NPT N-CH 1200V 5.3A TO252AA

Производитель: Fairchild Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V  •  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A  •  Ток коллектора (макс): 5.3A  •  Мощность макcимальная: 60Вт  •  Тип входа: Стандарт  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Архив документации

Поставщики «HGTD1N120BNS9A»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
LIXINC ELECTRONICS LIMITED, shenzhen
(+86) 75583998536, sales@lixincchip.com
HGTD1N120BNS9AON Semiconductor5688
PCB Electro, Новосибирск
(8-800-300-5710) 9607875610, info@pcb-electro.ru
HGTD1N120BNS9A (onsemi / Fairchild 300000; год: 19+)
HK CARLACCI TRADING CO.,LIMITED, Shenzhen
(86) 755 88822285, Факс: (86) 755 83957852, harry@ic-clc.com
HGTD1N120BNS9A (yпаковка: TO-252AA)ON6126
SHENZHEN DUOLE ELECTRONICS CO., LTD., SHENZHEN
(+86) 13530233399, jeremysu@hkpfs.com
HGTD1N120BNS9A (yпаковка: TO-252AA; год: 23+)ON3000
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
HGTD1N120BNS9A (Подробнее)onsemi35000
HGTD1N120BNS9A (Подробнее)onsemi1.68$35000
Shenzhen Botaike Technology Co., Ltd.,
(+86) 15992255549, sales@syxcic.com
HGTD1N120BNS9A (yпаковка: NA; год: 24+)NA3324
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080(10), Факс: (86755) 830080(908), sales5@icseek.net
HGTD1N120BNS9A (Оригинальный и наличный и новый)FAIRCHILD8200
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
HGTD1N120BNS9A (IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA Подробнее)onsemi172316
Kyent Industrial Co., Limited, Hong Kong
(8) 9268897067, yury@kyent.cn
HGTD1N120BNS9A (год: 21+)ON2800
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED, Changsha
(731) 85241908, Факс: (731) 85241908, claire2022@hkicstock.com
HGTD1N120BNS9A (год: 22+)onsemi4863
HGTD1N120BNS9A (год: 21)onsemi4863
А-Поставщик ЭКБ, Москва
(495) 7840480, sales@asourcingelectronics.ru
HGTD1N120BNS9A (В наличии на складе TC в КНР. Доставка РФ в срок от 2 недель; yпаковка: TO-252-3; год: 2021)onsemi1000
ООО "Аркион", Санкт-Петербург
(8) 9110839522, sales@arkion.ru
HGTD1N120BNS9A (TO-252AA от 4-х недель; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: 23+)ON Semiconductor15000
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd., Shenzhen
(86) 18819033453, vladimir@kingyiku.com
HGTD1N120BNS9A (22+; год: 44238)onsemi2523$
Стандарт СИЗ, Москва
(495) 799-28-33, sale@standartsiz.ru
HGTD1N120BNS9A (Подробную информацию уточняйте у наших менеджеров.)VISH/IRДа
HONGKONG KINGRUI ELECTRONIC TECH CO.,LTD, Shenzhen
(86) 13008844783, gordon@jinruihd.com
HGTD1N120BNS9A (yпаковка: IC OSC/MULT/BUFFER OCT 20-SSOP; год: 21+)MICROCHIIP8.8$612
HGTD1N120BNS9A (yпаковка: IC OSC/MULT/BUFFER OCT 20-SSOP; год: 21+)MICROCHIIP8.8$612
АО "Контест", Москва
(495) 150-88-73, Факс: (495) 150-88-73, zakaz@kontest.ru
HGTD1N120BNS9A (IGBT NPT N-CH 1200V 5.3A TO252AA Подробнее)FAIRCHILD6, 3-4 недели
Acme Chip Technology Co.,Limited, shenzhen
(86) 18902315121, sale@acme-chip.com
HGTD1N120BNS9A (IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA)onsemi1.86$29883
Дельта Электроника, Москва
(495) 660-36-02, Факс: (495) 660-36-02, popov@radel.ru
HGTD1N120BNS9A, БТИЗ транзистор, 5.3 А, 2.5 В, 60 Вт, 1.2 кВ, TO-252AA, 3 вывод(-ов)662.5 р.6-8 недель
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
HGTD1N120BNS9Aот 7 дней
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
HGTD1N120BNS9Aот 7 дней
СИНЕРГИЯ-ДИСТРИБУЦИЯ, Санкт-Петербург
(812) 409-49-13, sales@gsupply.ru
HGTD1N120BNS9A (IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA)ON Semiconductor926.32 р. | м. опт: 871.02 р.2500
HGTD1N120BNS9A (IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA)ON Semiconductor2212.11 р. | м. опт: 1990.9 р. | опт: 1548.48 р.3504
HGTD1N120BNS9A (IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA)ON Semiconductor2212.11 р. | м. опт: 1990.9 р. | опт: 1548.48 р.3504
HGTD1N120BNS9A (БТИЗ транзистор, 5.3 А, 2.5 В, 60 Вт, 1.2 кВ, TO-252AA, 3 вывод(-ов))ON Semiconductor3946.33 р. | м. опт: 2959.75 р. | опт: 2466.46 р.
HGTD1N120BNS9A (БТИЗ транзистор, 5.3 А, 2.5 В, 60 Вт, 1.2 кВ, TO-252AA, 3 вывод(-ов))ON Semiconductor3946.33 р. | м. опт: 2959.75 р. | опт: 2466.46 р.
HGTD1N120BNS9A (Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R)Onsemi148.66 р. | м. опт: 135.14 р. | опт: 134.1 р.41
HGTD1N120BNS9A (Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R)Onsemi135.14 р. | м. опт: 134.1 р.41
HGTD1N120BNS9A (IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA)Fairchild Semiconductor Corporation118.51 р. | м. опт: 96.68 р. | опт: 93.56 р.71000