Характеристики

GL4100E0000F — EMITTER IR 950NM 2.0MW TH

Производитель: Sharp Microelectronics  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Обратите внимание: Emitter Chip Change  •  Ток - DC: 100mA  •  Интенсивность облучения (Ie) Min @ If: 1mW/sr @ 20mA  •  Длина волны: 950nm  •  Напряжение - (Vf): 1.2V  •  Угол обзора: 180°  •  Ориентация: Side View  •  Тип монтажа: Through Hole  •  Корпус: Radial  •  Встречается под наим.: 425-1938-5

Поставщики «GL4100E0000F»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
GL4100E0000Fот 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
GL4100E0000Fот 7 дней