Характеристики | Производитель: Sharp Microelectronics • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Обратите внимание: Emitter Chip Change • Ток - DC: 100mA • Интенсивность облучения (Ie) Min @ If: 1mW/sr @ 20mA • Длина волны: 950nm • Напряжение - (Vf): 1.2V • Угол обзора: 180° • Ориентация: Side View • Тип монтажа: Through Hole • Корпус: Radial • Встречается под наим.: 425-1938-5 |
Поставщики «GL4100E0000F» | |
Наименование | Производитель | Цена | Склад | ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург (812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru | | GL4100E0000F | – | – | от 7 дней | ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург (812) 309-89-32, info@aspect.spb.su | | GL4100E0000F | – | – | от 7 дней |
|