Характеристики | Производитель: Rohm Semiconductor • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V • Сопротивление базы (Ом): 47K • Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA • Ток коллектора (макс): 100mA • Модуляция частот: 250MHz • Мощность макcимальная: 150mW • Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) • Mounting Type: Surface Mount • Корпус: EMT6 • Встречается под наим.: EMB2T2R-ND, EMB2T2RTR |