Характеристики

BLF6G22LS-75,118 — TRANS BASESTATION 2-LDMOST

Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип транзистора: LDMOS  •  Частота: 2.11GHz  •  Усиление: 18.7dB  •  Номинальное напряжение: 65V  •  Номинал тока: 18A  •  Ток - тестовый: 690mA  •  Напряжение - тестовое: 28V  •  P1dB: 17Вт  •  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B  •  Встречается под наим.: 934061559118, BLF6G22LS-75 /T3, BLF6G22LS-75 /T3-ND
Архив документации

Поставщики «BLF6G22LS-75,118»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080（10）, Факс: (86755) 830080（908）, sales5@icseek.net
BLF6G22LS-75,118 (Оригинальный и наличный и новый)NXP–6324
Digi-ic_SMART PIONEER electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
BLF6G22LS-75,118 (RF FET LDMOS 65V 18.7DB SOT502B Подробнее)Ampleon USA Inc.–130088
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
BLF6G22LS-75,118 (микросхема интегральная электронная TRANS BASESTATION 2-LDMOST 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)NXP Semiconductors–14431
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
BLF6G22LS-75,118––от 7 дней
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
BLF6G22LS-75,118––от 7 дней