Характеристики | Производитель: NXP Semiconductors • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Тип транзистора: LDMOS • Частота: 2.11GHz • Усиление: 16dB • Номинальное напряжение: 65V • Номинал тока: 49A • Ток - тестовый: 1.4A • Напряжение - тестовое: 30В • P1dB: 40Вт • Корпус: 2-LDMOST, SOT502A |
Архив документации | |
Поставщики «BLF6G22-180RN,112» | |
Наименование | Производитель | Цена | Склад | Icseek Global Limited, Шэньчжэнь (86755) 83000080(10), Факс: (86755) 830080(908), sales5@icseek.net | | BLF6G22-180RN,112 (Оригинальный и наличный и новый) | NXP | – | 6324 | HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь (86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com | | BLF6G22-180RN,112 (yпаковка: SOT-502A; год: 22+) | Ampleon USA Inc. | – | 55000 | Digi-ic_SMART PIONEER electronic, Hong Kong (86) 13512338801, sales8@digi-ic.com | | BLF6G22-180RN,112 (RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A Подробнее) | Ampleon USA Inc. | – | 131650 | ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург (812) 922-25-39, order@an-chip.ru | | BLF6G22-180RN,112 (транзистор TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502A 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21) | NXP Semiconductors | – | 14433 | АО "Контест", Москва (495) 150-88-73, Факс: (495) 150-88-73, zakaz@kontest.ru | | BLF6G22-180RN,112 (TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502A Подробнее) | NXP Semiconductors | – | – | СИНЕРГИЯ-ДИСТРИБУЦИЯ, Санкт-Петербург (812) 409-49-13, sales@gsupply.ru | | BLF6G22-180RN,112 (RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A) | Ampleon USA Inc. | – | – | BLF6G22-180RN,112 (RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A) | Ampleon USA Inc. | – | – | ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург (812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru | | BLF6G22-180RN,112 | – | – | от 7 дней | | ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург (812) 309-89-32, info@aspect.spb.su | | BLF6G22-180RN,112 | – | – | от 7 дней |
|