Характеристики

BLF6G10S-45,112 — IC BASESTATION DRIVER SOT608B

Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип транзистора: LDMOS  •  Частота: 922.5MHz  •  Усиление: 23dB  •  Номинальное напряжение: 65V  •  Номинал тока: 13A  •  Ток - тестовый: 350mA  •  Напряжение - тестовое: 28V  •  P1dB: 1Вт  •  Корпус: SOT-608B  •  Встречается под наим.: BLF6G10S-45, BLF6G10S-45-ND
Архив документации

Поставщики «BLF6G10S-45,112»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080(10), Факс: (86755) 830080(908), sales5@icseek.net
BLF6G10S-45,112 (Оригинальный и наличный и новый)NXP6324
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
BLF6G10S-45,112 (yпаковка: SOT608B; год: 22+)Ampleon USA Inc.55000
Digi-ic_SMART PIONEER electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
BLF6G10S-45,112 (RF FET LDMOS 65V 23DB SOT608B Подробнее)Ampleon USA Inc.128384
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
BLF6G10S-45,112 (микросхема интегральная электронная IC BASESTATION DRIVER SOT608B 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)NXP Semiconductors13462
Shenzhen Augswan Electronics Co., LTD., shenzhen
(86) 17727878850, contact@augswan.com
BLF6G10S-45,112 (RF MOSFET LDMOS 28V CDFM2)Ampleon USA Inc.2869
SHENZHEN SHENGYU ELECTRONICS TECHNOLOGY LIMITED, shenzhen
(86) 18038052216, cary@shengyuic.com
BLF6G10S-45,112 (RF MOSFET LDMOS 28V CDFM2)Ampleon USA Inc.4505
Acme Chip Technology Co.,Limited, shenzhen
(86) 18902315121, sale@acme-chip.com
BLF6G10S-45,112 (RF MOSFET LDMOS 28V CDFM2)Ampleon USA Inc.4343
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
BLF6G10S-45,112от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
BLF6G10S-45,112от 7 дней
CHIP DIGGER LIMITED, shenzhen
(86) 13422897696, info@chipdigger.com
BLF6G10S-45,112 (RF MOSFET LDMOS 28V CDFM2)Ampleon USA Inc.4225