Характеристики

BLF4G20LS-130,112 — BASESTATION FINAL 2GHZ SOT502B

Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип транзистора: LDMOS  •  Частота: 1.93GHz  •  Усиление: 14.6dB  •  Номинальное напряжение: 65V  •  Номинал тока: 15A  •  Ток - тестовый: 900mA  •  Напряжение - тестовое: 28V  •  P1dB: 130Вт  •  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B  •  Встречается под наим.: 568-2414, BLF4G20LS-130, BLF4G20LS-130-ND
Архив документации

Поставщики «BLF4G20LS-130,112»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
BLF4G20LS-130,112 (Подробнее)NXP Semiconductors35000
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080(10), Факс: (86755) 830080(908), sales5@icseek.net
BLF4G20LS-130,112 (Оригинальный и наличный и новый)NXP6324
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
BLF4G20LS-130,112 (BASESTATION FINAL 2GHZ SOT502B BASESTATION FINAL 2GHZ SOT502B 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)NXP Semiconductors14322
Shenzhen Augswan Electronics Co., LTD., shenzhen
(86) 17727878850, contact@augswan.com
BLF4G20LS-130,112 (RF MOSFET LDMOS 28V SOT502B)NXP USA Inc.3563
SHENZHEN SHENGYU ELECTRONICS TECHNOLOGY LIMITED, shenzhen
(86) 18038052216, cary@shengyuic.com
BLF4G20LS-130,112 (RF MOSFET LDMOS 28V SOT502B)NXP USA Inc.3512
Acme Chip Technology Co.,Limited, shenzhen
(86) 18902315121, sale@acme-chip.com
BLF4G20LS-130,112 (BASESTATION FINAL 2GHZ SOT502B)Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)3894
BLF4G20LS-130,112 (RF MOSFET LDMOS 28V SOT502B)NXP USA Inc.4757
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
BLF4G20LS-130,112от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
BLF4G20LS-130,112от 7 дней
CHIP DIGGER LIMITED, shenzhen
(86) 13422897696, info@chipdigger.com
BLF4G20LS-130,112 (RF MOSFET LDMOS 28V SOT502B)NXP USA Inc.4604