Характеристики

BLF4G10LS-120,112 — BASESTATION FINAL 1GHZ SOT502B

Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип транзистора: LDMOS  •  Частота: 920MHz  •  Усиление: 19dB  •  Номинальное напряжение: 65V  •  Номинал тока: 12A  •  Ток - тестовый: 650mA  •  Напряжение - тестовое: 28V  •  P1dB: 48W  •  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B  •  Встречается под наим.: 568-2404, BLF4G10LS-120, BLF4G10LS-120-ND
Архив документации

Поставщики «BLF4G10LS-120,112»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
АО "Контест", Москва
(495) 150-88-73, Факс: (495) 150-88-73, zakaz@kontest.ru
BLF4G10LS-120,112 (BASESTATION FINAL 1GHZ SOT502B Подробнее)NXP Semiconductors
Абтроникс, Москва
(495) 221-8668, Факс: (495) 221-8668, sales@abtronics.ru
BLF4G10LS-120,112 (BASESTATION FINAL 1GHZ SOT502B Подробнее)от 3-4 недель
ООО "ЕВРОМАШ ЭК", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@euromash.su
BLF4G10LS-120,1124847, 7-10 дней
BLF4G10LS-120,1121296, 7-10 дней
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
BLF4G10LS-120,1121253, 7-10 дней
BLF4G10LS-120,1125014, 7-10 дней
СИНЕРГИЯ-ДИСТРИБУЦИЯ, Санкт-Петербург
(812) 409-49-13, sales@gsupply.ru
BLF4G10LS-120,112 (FET RF 65V 960MHZ SOT502B)NXP USA Inc.
Промрэк, Санкт-Петербург
(812) 384-69-08, info@promrec.ru
BLF4G10LS-120,112 (Description : BASESTATION FINAL 1GHZ SOT502B Подробнее PDF)NXP Semiconductors