Характеристики

BCR 148S E6433 — TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-363

Производитель: Infineon Technologies  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  •  Сопротивление базы (Ом): 47K  •  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  •  Ток коллектора (макс): 70mA  •  Модуляция частот: 100MHz  •  Мощность макcимальная: 250mW  •  Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363  •  Встречается под наим.: BCR148SE6433XT, SP000012339
Архив документации

Поставщики «BCR148SE6433»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
BCR148SE6433HTMA1 (TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Подробнее)Infineon Technologies18987
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
BCR 148S E6433 (транзистор TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-363 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)Infineon Technologies36763
АО "Контест", Москва
(495) 150-88-73, Факс: (495) 150-88-73, zakaz@kontest.ru
BCR 148S E6433 (TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-363 Подробнее)Infineon Technologies
Acme Chip Technology Co.,Limited, shenzhen
(86) 18902315121, sale@acme-chip.com
BCR148SE6433HTMA1 (TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363)Infineon Technologies3415
СИНЕРГИЯ-ДИСТРИБУЦИЯ, Санкт-Петербург
(812) 409-49-13, sales@gsupply.ru
BCR148SE6433HTMA1 (TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363)Infineon Technologies
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
BCR148SE6433от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
BCR148SE6433от 7 дней