Характеристики

BCR 198S E6327 — TRANSISTOR PNP DGTL AF SOT-363

Производитель: Infineon Technologies  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  •  Сопротивление базы (Ом): 47K  •  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  •  Ток коллектора (макс): 70mA  •  Модуляция частот: 190MHz  •  Мощность макcимальная: 250mW  •  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363  •  Встречается под наим.: BCR198SE6327XT, SP000010822
Архив документации

Поставщики «BCR 198S E6327»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080(10), Факс: (86755) 830080(908), sales5@icseek.net
BCR198S E6327 (Оригинальный и наличный и новый)INFINEON6324
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
BCR 198S E6327 (транзистор TRANSISTOR PNP DGTL AF SOT-363 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)Infineon Technologies36769
АО "Контест", Москва
(495) 150-88-73, Факс: (495) 150-88-73, zakaz@kontest.ru
BCR198SE6327 (Подробнее)INFINEON
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
BCR 198S E6327от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
BCR 198S E6327от 7 дней