Характеристики

BCR 166 B6327 — TRANSISTOR PNP DGTL AF SOT-23

Производитель: Infineon Technologies  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  •  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  •  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  •  Ток коллектора (макс): 100mA  •  Модуляция частот: 160MHz  •  Мощность макcимальная: 200mW  •  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SOT-23  •  Встречается под наим.: BCR166B6327XT, SP000056344
Архив документации

Поставщики «BCR 166 B6327»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080（10）, Факс: (86755) 830080（908）, sales5@icseek.net
BCR 166 B6327 (Оригинальный и наличный и новый)INFINEON–6324
BCR166B6327HTSA1 (Оригинальный и наличный и новый)INFINEON–6324
BCR166B6327HTLA1 (Оригинальный и наличный и новый)INFINEON–6324
Digi-ic_SMART PIONEER electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
BCR166B6327HTLA1 (TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Подробнее)Infineon Technologies–16652
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
BCR 166 B6327 (транзистор TRANSISTOR PNP DGTL AF SOT-23 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)Infineon Technologies–34148
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
BCR 166 B6327––от 7 дней
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
BCR 166 B6327––от 7 дней