| Характеристики |  Производитель: Infineon Technologies • Вредные вещества:  RoHS  Без свинца • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V • Сопротивление базы (Ом): 4.7K • Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA • Ток коллектора (макс): 100mA • Модуляция частот: 160MHz • Мощность макcимальная: 250mW • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased • Тип монтажа: Поверхностный монтаж • Корпус: TSFP-3 • Встречается под наим.: BCR114FE6327XT, SP000014848 |
| Архив документации | |
Поставщики «BCR+114F+E6327» | |
| Наименование | Производитель | Цена | Склад |  Digi-ic_SMART PIONEER electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com |   | | BCR 114F E6327 (TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 Подробнее) | Infineon Technologies | – | 16583 |  ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru |  | | BCR 114F E6327 (транзистор TRANSISTOR NPN DGTL AF TSFP-3 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21) | Infineon Technologies | – | 34780 |  АО "Контест", Москва
(495) 150-88-73, Факс: (495) 150-88-73, zakaz@kontest.ru |    | | BCR 114F E6327 (TRANSISTOR NPN DGTL AF TSFP-3 Подробнее) | Infineon Technologies | – | – |
|