Характеристики

APTGT200DH120G — IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6

Производитель: Microsemi-PPG  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V  •  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A  •  Ток коллектора (макс): 280A  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 350µA  •  Емкость @ Vce: 14nF @ 25V  •  Мощность макcимальная: 890W  •  Вход: Стандарт  •  Конфигурация: Asyммetrical Bridge  •  NTC термистор: Нет  •  Тип монтажа: Chassis Mount  •  Корпус: SP6
Архив документации

Поставщики «APTGT200DH120G»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Acme Chip Technology Co.,LimitedAPTGT200DH120G (IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6)Microchip Technology301.77$6262
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdAPTGT200DH120G (Подробнее)Microchip Technology252.292$35000
АО "Контест"APTGT200DH120G (Подробнее)Microsemi Power Products Group––
СИНЕРГИЯ-ДИСТРИБУЦИЯAPTGT200DH120G (IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6)Microsemi Corporation––
СИНЕРГИЯ-ДИСТРИБУЦИЯAPTGT200DH120G (IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6)Microchip Technology––
Дельта ЭлектроникаAPTGT200DH120G––6-8 недель
ООО "АСПЕКТ"APTGT200DH120G––от 7 дней
Icseek Global LimitedAPTGT200DH120G (Оригинальный и наличный и новый)MICROCHIP–9853
ООО "Интегральные схемы"APTGT200DH120G––от 7 дней
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicAPTGT200DH120G (IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6 Подробнее)Microchip Technology–176910