Войти    Регистрация
ChipFind поиск электронных компонентов
 
   
Классический дизайн
Документация
Характеристики

2DB1132R-13 — TRANSISTOR BIPO PNP 32V SOT89-3

Производитель: Diodes Inc  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  •  Ток коллектора (макс): 1A  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V  •  Мощность макcимальная: 1Вт  •  Модуляция частот: 190MHz  •  Тип транзистора: PNP  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SOT-89-3, TO-243-3  •  Встречается под наим.: 2DB1132RDIDKR
Архив документации

   






Наименования
Производители
Версия для печати
Страница с результатами, оптимизированная для печати.
Бросить клич!
Отправьте список нужной номенклатуры сразу 170 менеджерам поставщиков!

Поставщики «2DB1132R-13»

ПоставщикНаименованиеПроизводительЦенаСклад
Chipsbuy2DB1132R-13
SOT89
DIODES 90000
2DB1132R-13-GIGADIODES 67500


«2DB1132R-13» в eFind, eInfo, Google, Яндекс, Datasheet Archive
Поставщиков: 1763 отечественных и 432 зарубежных
Помощь   Настройки дизайна   Скрытые поставщики
Реклама на сайте   Разместить прайс-лист   Контакты
Распечатать