Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  •  Модуляция частот: 9GHz  •  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.6dB @ 900MHz  •  Мощность макcимальная: 500мВт  •  Тип транзистора: NPN  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V  •  Ток коллектора (макс): 70mA  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SOT-343N  •  Compression Point (P1dB): 17dBm  •  Встречается под наим.: BFG520W T/R, BFG520W T/R-ND